[发明专利]发光二极管显示装置

说明书

本发明提供一种发光二极管显示装置，包括阵列基板、对向基板、多个挡墙结构、至少一发光二极管、上反射层、第一光阻挡层、下反射层以及光扩散材料层。阵列基板、挡墙结构以及对向基板定义出至少一容置区域。发光二极管配置于阵列基板上，而上反射层配置于发光二极管上，其中上反射层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠于发光二极管在所述阵列基板上的正投影。第一光阻挡层配置于上反射层相对远离阵列基板的一侧上。上反射层在阵列基板上的正投影至少部分重叠于下反射层在阵列基板上的正投影。光扩散材料层填充于容置区域内，本发明的发光二极管显示装置无须预留波长转换材料层的厚度，可使整体结构具有较薄的厚度。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，尤其涉及一种发光二极管显示装置。

背景技术

由于发光二极管显示装置具有主动式发光、高亮度等优势，且相较于有机发光二极管(OLED)显示装置具有较长寿命等优点，因此近年来成为新型显示器大力发展的技术之一。详细来说，发光二极管显示装置主要是由薄膜晶体管阵列基板与阵列排列的发光二极管所组成。目前发光二极管显示装置大都采用直下式设计(Top emitting)，也即在发光二极管的发光面的上方设置波长转换材料层来达成调控发光波长的目的。然而，如果要有较佳的波长转换效率，目前波长转换材料层的厚度至少要大于20微米。此波长转换材料层的厚度不但会增加整体结构的厚度，还会因为整体的结构因堆叠的厚度过高而导致制程难度大幅提高。

发明内容

本发明是针对一种发光二极管显示装置，其具有较薄的整体厚度。

本发明的发光二极管显示装置包括阵列基板、对向基板、多个挡墙结构、至少一发光二极管、上反射层、第一光阻挡层、下反射层以及光扩散材料层。对向基板配置于阵列基板的对向。多个挡墙结构设置于阵列基板与对向基板之间。阵列基板、多个挡墙结构以及对向基板定义出至少一容置区域。发光二极管配置于阵列基板上，且位于容置区域内。上反射层配置于发光二极管与对向基板之间。上反射层在阵列基板上的正投影至少部分重叠于发光二极管在阵列基板上的正投影。第一光阻挡层配置于上反射层与对向基板之间。下反射层配置于阵列基板上，且位于容置区域内。上反射层在阵列基板上的正投影至少部分重叠于下反射层在阵列基板上的正投影。光扩散材料层填充于容置区域内。

基于上述，由于本发明的发光二极管显示装置的光扩散材料层是填充于由挡墙结构、阵列基板与对向基板所定义的容置区域内，且上反射层在阵列基板上的正投影至少部分重叠于发光二极管在阵列基板上的正投影，而使发光二极管可由侧向出光。相较于现有是将波长转换材料层配置于发光二极管的出光面上，以使发光二极管以正向出光的发光二极管显示装置而言，本发明的发光二极管显示装置无须预留波长转换材料层的厚度，可使整体结构具有较薄的厚度。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1A示出为本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图1B示出为图1A的发光二极管显示装置的局部俯视示意图；

图2A至图2F示出为本发明的多个实施例的发光二极管显示装置的多个发光二极管分别位于多个容置区域中的位置的俯视示意图；

图3示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图4示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图5示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图6示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图7示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；