[发明专利]提高氮化物外延层耐压特性的缓冲层生长方法有效
| 申请号： | 201710499314.4 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107516629B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 夏远洋;李亦衡;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;王桦 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 氮化物 外延 耐压 特性 缓冲 生长 方法 | ||
1.一种提高氮化物外延层耐压特性的缓冲层生长方法，其特征在于：包括在衬底上表面以第一温度生长低温缓冲层，第一温度上升至第二温度生长高温缓冲层，所述的缓冲层原料为氮化铝，所述的第一温度在600-750℃，所述的第一温度生长低温缓冲层的时间1-1800s，和/或所述的低温缓冲层生长的厚度为1-50nm，所述的第一温度升至所述的第二温度的时间为1-60 min，所述的第二温度在1000-1200摄氏度，在第一温度上升至第二温度的过程中持续通入缓冲层原料，所述的第二温度生长高温缓冲层的时间1-3600s，和/或所述的高温缓冲层生长的厚度为1-300nm。
2.根据权利要求1所述的提高氮化物外延层耐压特性的缓冲层生长方法，其特征在于：所述的第二温度在1050-1150℃。
3.根据权利要求1所述的提高氮化物外延层耐压特性的缓冲层生长方法，其特征在于：所述的第一温度升至所述的第二温度的时间为5-10 min。
4.根据权利要求1所述的提高氮化物外延层耐压特性的缓冲层生长方法，其特征在于：所述的第一温度生长低温缓冲层的时间10-60s，和/或所述的低温缓冲层生长的厚度为1-10nm。
5.根据权利要求1所述的提高氮化物外延层耐压特性的缓冲层生长方法，其特征在于：所述的第二温度生长高温缓冲层的时间600-3000s，和/或所述的高温缓冲层生长的厚度为50-250 nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
