[发明专利]用于介电蚀刻室的室充填器套件有效
申请号: | 201710499984.6 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN107564788B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 班森·Q·唐;哈梅特·辛格;约翰·霍兰;赖安·拜斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 蚀刻 充填 套件 | ||
本发明涉及用于介电蚀刻室的室充填器套件。提供了一种用于平衡介电蚀刻室中的电场的室充填器套件。传输模块充填器包括导电体、抗蚀刻表面,其中抗蚀刻表面包括与蚀刻室的部分圆柱形孔匹配的内弯曲表面、和晶片传输孔,其中传输模块充填器能装进蚀刻室的传输孔中。传输模块密封板适于机械地和电气地连接到部分圆柱形室主体和传输模块充填器。偏置外壳充填器适于机械地和电气地连接到偏置外壳壁并且包括导体和抗蚀刻表面,其中抗蚀刻表面包括与部分圆柱形孔匹配的弯曲表面。
技术领域
本公开涉及半导体器件的制造。更具体地,本公开涉及在形成半导体器件中的衬底的等离子体处理。
背景技术
在半导体晶片处理期间,可以将特征蚀刻到介电层中。
发明内容
为了实现上述并且根据本公开的目的,实施方式提供了一种用于平衡介电蚀刻室中的电场的室充填器套件,其中介电蚀刻室包括具有部分圆柱形孔的部分圆柱形室主体,所述部分圆柱形孔具有传输孔和与所述传输孔相对的偏置外壳孔、以及邻近所述偏置外壳孔的偏置外壳壁。传输模块充填器包括导电体、抗蚀刻表面,其中抗蚀刻表面包括与部分圆柱形孔匹配的内弯曲表面、和用于允许晶片和机械臂进入所述部分圆柱形孔的晶片传输孔,其中所述传输模块充填器能装进所述传输孔中并填充所述传输孔的体积的至少一半。传输模块密封板适于机械地和电气地连接到部分圆柱形室主体和传输模块充填器,并且包括用于在传输孔周围产生密封的密封件。偏置外壳充填器适于机械地和电气地连接到偏置外壳壁并且包括导体和抗蚀刻表面,其中偏置外壳充填器填充偏置外壳孔的体积的至少75%,并且其中抗蚀刻表面包括与部分圆柱形孔匹配的弯曲表面。
在另一个表现形式中,实施方式提供用于平衡介电蚀刻室中的电场的室充填器套件,其中介电蚀刻室包括具有部分圆柱形孔的部分圆柱形室主体,所述部分圆柱形孔具有传输孔和偏置外壳孔、和邻近偏置外壳孔的偏置外壳壁。传输模块充填器包括导电体、抗蚀刻表面,其中抗蚀刻表面包括与部分圆柱形孔匹配的内弯曲表面、和用于允许晶片和机械臂进入部分圆柱形孔的晶片传输孔,其中传输模块充填器能装进传输孔中并填充传输孔的体积的至少一半。偏置外壳充填器适于机械地和电气地连接到偏置外壳壁。偏置外壳充填器包括导体和抗蚀刻表面,其中偏置外壳充填器填充偏置外壳孔的体积的至少75%,并且其中抗蚀刻表面包括与部分圆柱形孔匹配的弯曲表面。
具体而言,本发明的一些方面可以阐述如下:
1.一种用于平衡介电蚀刻室中的电场的室充填器套件,其中所述介电蚀刻室包括具有部分圆柱形孔的部分圆柱形室主体,所述部分圆柱形孔具有传输孔和与所述传输孔相对的偏置外壳孔、和邻近所述偏置外壳孔的偏置外壳壁,所述室充填器套件包括:
传输模块充填器,其包括:
导电体;
抗蚀刻表面,其中所述抗蚀刻表面包括与所述部分圆柱形孔匹配的内弯曲表面;和
晶片传输孔,其用于允许晶片和机械臂进入所述部分圆柱形孔,其中所述传输模块充填器能装进所述传输孔中并填充所述传输孔的体积的至少一半;
传输模块密封板,其适于机械地和电气地连接到所述部分圆柱形室主体和所述传输模块充填器,其包括用于在所述传输孔周围产生密封的密封件;和
偏置外壳充填器,其适于机械地和电气地连接到所述偏置外壳壁,其包括:
导体;和
抗蚀刻表面,其中所述偏置外壳充填器填充所述偏置外壳孔的体积的至少75%,并且其中所述抗蚀刻表面包括与所述部分圆柱形孔匹配的弯曲表面。
2.根据条款1所述的室充填器套件,其中所述介电蚀刻室还包括衬底支撑件,所述衬底支撑件机械地连接到所述偏置外壳壁,其中所述偏置外壳充填器形成至少部分地围绕所述衬底支撑件到所述偏置外壳壁的连接的孔。
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