[发明专利]基于开关电容变换器的光电倍增管电源

权利要求书

1.基于开关电容变换器的光电倍增管电源，其特征在于设有直流电源输入端、桥式模块化开关电容变换器、半导体开关和电容组成的开关电容辅助电路；

所述直流电源输入端外接直流电源；

所述桥式模块化开关电容变换器由H桥路和开关电容模块组成，所述H桥路由十二个开关管D1a、D1b、D2a、D2b、D3a、D3b、D4a、D4b、D5a、D5b、D6a、D6b；分别与各自电容C1a、C1b、C2a、C2b、C3a、C3b、C4a、C4b、C5a、C5b、C6a、C6b相连构成开关电容模块和S_b1、S_b2、S_b3、S_b4相互连接构成；

所述半导体开关和电容组成的开关电容辅助电路的半导体开关均采用MOSFET功率开关管，所述由开关电容C₀-C₁₂和MOFET开关管S₀-S₁₂相连构成。

2.如权利要求1所述基于开关电容变换器的光电倍增管电源，其特征在于所述半导体开关和电容组成的开关电容辅助电路是一种针对光电倍增管外部电路的开关电容辅助电路，其中上排电容正极在状态1和状态2共获得7种电平，下排电容负极在状态1和状态2获得7种电平，总共14种电平，光电倍增管使用其中13个电平，并以桥式电路的地作为所有电容的公共地，电容的13个电平通过高频开关S₀-S₁₂的时序控制给光电倍增管提供多路电源。

3.如权利要求1所述基于开关电容变换器的光电倍增管电源，其特征在于所述H桥路的四个开关管S_b1、S_b2、S_b3、S_b4均采用MOSFET功率开关管。

4.如权利要求1所述基于开关电容变换器的光电倍增管电源，其特征在于所述开关电容模块中的十二个开关管D1a、D1b、D2a、D2b、D3a、D3b、D4a、D4b、D5a、D5b、D6a、D6b分别和各自电容C1a、C1b、C2a、C2b、C3a、C3b、C4a、C4b、C5a、C5b、C6a、C6b相连：D1a、D2a、D3a、D4a、D5a、D6a连接到电容C1a、C2a、C3a、C4a、C5a、C6a的正极性端，D1b、D2b、D3b、D4b、D5b、D6b连接到电容C1b、C2b、C3b、C4b、C5b、C6b的负极性端；C1a-C1b、C2a-C2b、C3a-C3b、C4a-C4b、C5a-C5b、C6a-C6b则两两首尾相连，构成一对上下桥臂；且在电路的每一个引出端都皆有一个电容，编号从C0～C12，用于维持供电电源电压的恒定。