[发明专利]一种碳化硅木质陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅木质陶瓷的制备方法，其特征在于具体制备步骤为：

（1）将汉麻杆用氢氧化钠溶液恒温浸泡20～40min后，用液氮喷淋冷冻10～20s，再经微波解冻2～4min，如此恒温浸泡、冷冻和解冻循环3～5次，再将最后一次解冻的汉麻杆用水洗涤3～5次，并干燥至含水率为10～15%，再将干燥后的汉麻杆粉碎，过筛，得汉麻杆粉；

（2）将上述所得汉麻杆粉转入管式炉，预热至150～160℃，再将正硅酸乙酯加热至沸腾，用导管将正硅酸乙酯蒸气导入预热后的管式炉中，用正硅酸乙酯蒸气对管式炉中汉麻杆粉进行熏蒸2～4h，得预处理汉麻杆粉；

（3）将所得预处理汉麻杆粉热压成型后，炭化，得炭化坯体；

（4）将上述所得炭化坯体置于石墨坩埚，并用单质硅颗粒覆盖，随后将石墨坩埚移入真空炉中进行液相渗硅，待自然冷却至室温，出料，即得碳化硅木质陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅木质陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（1）所述的过筛为过100～200目筛。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅木质陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（3）所述的热压成型条件为：热压温度为180～200℃，热压压力为10～20MPa。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅木质陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（3）所述的炭化条件为：于炭化炉中，以60～90mL/min速率向炉内通入氩气，在氩气保护状态下，以3～5℃/min速率程序升温至300～400℃，保温30～40min后，继续以4～6℃/min速率程序升温至800～900℃，保温40～60min后，继续以6～8℃/min速率程序升温至1400～1500℃，保温2～4h后，随炉冷却至室温。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅木质陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（4）所述的单质硅颗粒平均粒径为0.6～3.5mm，纯度为99.1～99.4%；所述单质硅颗粒覆盖厚度为炭化坯体厚度的0.5～0.8倍。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅木质陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（4）所述的液相渗硅条件为：真空度为40～80Pa，温度为1450～1550℃，保温时间为60～90min。