[发明专利]双能分析光栅在审
申请号: | 201710504101.6 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107290359A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 荣锋;梁莹 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | G01N23/04 | 分类号: | G01N23/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300387 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分析 光栅 | ||
1.一种双能分析光栅,其特征在于,双能分析光栅由高能栅条和低能栅条水平交错排列组成,栅条以硅为基底,高能栅条宽度为2μm,在硅基的正面挖50μm深槽,填充铋,在硅基背面挖280μm深槽,填充碘化铯;低能栅条宽度为2μm,在硅基没有填充,在光栅背面整体电镀120μm厚的碘化铯。
2.根据权利要求1所述的双能分析光栅,其特征在于,双能分析光栅整体高度为5cm,宽度为5cm,高能栅条和低能栅条宽度、高度相同,周期为4μm。
3.根据权利要求1所述的双能分析光栅,其特征在于,双能分析光栅的高能栅条和低能栅条厚度一致,栅条厚度误差低于4μm。
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