[发明专利]一种砷化镓衬底的表面处理方法在审
| 申请号： | 201710504108.8 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148259A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 胡夕伦;闫宝华;刘琦;郑兆河;肖成峰 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8252;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 砷化镓 衬底 脉冲激光 去离子水 衬底表面 热氮 清洗 表面清洁度 表面洁净 表面清洁 产品良率 处理效率 化学试剂 界面接触 金属蒸镀 均匀作用 器件电压 器件性能 生产效率 杂质颗粒 有机物 电极 烘干 减薄 保证 引入 | ||
1.一种砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是，包括以下步骤：
(1)对砷化镓衬底进行减薄；
(2)将脉冲激光均匀作用于砷化镓衬底表面；
(3)将脉冲激光作用后的砷化镓衬底用去离子水清洗；
(4)将去离子水清洗后的砷化镓衬底用热氮烘干,得到表面洁净的砷化镓衬底。
2.根据权利要求1所述的砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是：所述步骤(2)中砷化镓衬底置于载片台上。
3.根据权利要求1所述的砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是：所述步骤(2)中脉冲激光的波长为248nm-1064nm。
4.根据权利要求1所述的砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是：所述步骤(2)中脉冲激光的频率1-50Hz。
5.根据权利要求1所述的砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是：所述步骤(2)中脉冲激光的能量密度0.1-10J/cm2。
6.根据权利要求1所述的砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是：所述步骤(2)中脉冲激光作用于砷化镓衬底的时间为1-10分钟。
7.根据权利要求1所述的砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是：所述步骤(3)中的清洗时间为1-10分钟。
8.根据权利要求1所述的砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是：所述步骤(4)中的烘干温度为30-90℃。
9.根据权利要求1所述的砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是：所述步骤(4)中的烘干时间为1-10分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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