[发明专利]一种立方体纳米结构氧化铟气敏材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710504899.4 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107215890A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张苏;宋鹏;李嘉;王琦;杨中喜 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00;G01N27/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业)37240 | 代理人： | 李茜 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 立方体 纳米 结构 氧化 铟气敏 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种立方体纳米结构氧化铟气敏材料的制备方法，具体合成步骤如下：
（1）称取一定量的四水合三氯化铟、1，4-丁二胺，溶于40 mL去离子水中，其中四水合三氯化铟的浓度为0.02-0.05 mol/L，1，4-丁二胺的浓度为0.02-0.05 mol/L，且控制四水合三氯化铟与1，4-丁二胺的摩尔比为1:(1-2)；
（2）将步骤（1）中所得混合溶液移至内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中，在180-200 ℃温度下，进行水热反应8-24 h，再将水热反应后的产物利用离心机进行固液分离，并用去离子水和乙醇对所得固体产物进行多次洗涤；
（3）将步骤（2）所得固体产物放置于干燥箱中，60 ℃干燥，然后置于氧化铝坩埚放入马弗炉，在400-550 ℃下热处理3 h，得到具有多孔结构的立方体氧化铟粉体。
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