[发明专利]一种电子注耦合激励表面等离子体激元的方法在审
| 申请号： | 201710504943.1 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107121716A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 龚森 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 | 代理人： | 李林合,李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 耦合 激励 表面 等离子体 方法 | ||
1.一种电子注耦合激励表面等离子体激元的方法，其特征在于，用电子注激励周期结构中的仿表面等离子体激元，以激励出的所述仿表面等离子体激元作为激励源去耦合激励媒质元件中的表面等离子体激元，从而获得所述表面等离子体激元；
其中，所述周期结构是由金、银或无氧铜制成的，所述周期结构包括多个重复排列的单元，并且相邻两个所述单元之间具有缝隙；所述媒质元件是由金属或石墨烯制成的薄膜。
2.根据权利要求1所述的电子注耦合激励表面等离子体激元的方法，其特征在于，所述方法包括以下具体步骤：
用设置在所述周期结构一侧的电子枪发射所述电子注，所述电子注在所述周期结构上平行运动以激励出所述周期结构中的所述仿表面等离子体激元；以及
所述仿表面等离子体激元渗透或传播穿过所述周期结构的所述缝隙，耦合激励设置在所述周期结构另一侧的所述媒质元件中的所述表面等离子体激元。
3.根据权利要求2所述的电子注耦合激励表面等离子体激元的方法，其特征在于，所述周期结构与所述媒质元件间隔设置，所述周期结构与所述媒质元件之间形成的间隔距离等于所述仿表面等离子体激元的衰减深度与所述表面等离子体激元的衰减深度之和。
4.根据权利要求3所述的电子注耦合激励表面等离子体激元的方法，其特征在于，所述媒质元件设置于基底上。
5.根据权利要求1-4任一项所述的电子注耦合激励表面等离子体激元的方法，其特征在于，所述周期结构为透射光栅、孔阵列结构或螺旋线结构。
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