[发明专利]新型氧化物半导体多晶块体的制备方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体[Ca₂₄Al₂₈O₆₄]⁴⁺·[2(1-x)O^2-]·4xe^-多晶块体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将CaCO₃粉末、Al₂O₃粉末按摩尔比12∶7进行研磨混合均匀，预压成形，然后放入高温重烧实验炉进行熔融反应合成C12A7多晶；反应合成条件为：反应温度不低于1300℃，保温时间不少于1h，随炉冷却至室温，得到C12A7多晶块体，进入步骤2)；

2)将步骤1)中制备的C12A7多晶块体进行粉碎、研磨，装入石墨模具中，放入SPS设备中烧结；烧结条件：腔体内气氛压力小于8pa；烧结温度1000～1300℃，保温时间不少于5min，随炉冷却至室温，得到C12A7多晶块体，进入步骤3)；

3)将步骤2)中制得的C12A7多晶块体切割成薄片后和活性金属颗粒封装到真空度小于10^-5pa的石英管中，然后将封装好的石英管置于高温重烧实验炉中加热还原；还原条件为：还原温度800～1100℃，还原时间不少于10h，随炉冷却得到[Ca₂₄Al₂₈O₆₄]⁴⁺·[2(1-x)O^2-]·4xe^-氧化物半导体多晶块体；活性金属颗粒为金属Ti或Ca颗粒，且金属颗粒与多晶薄片的质量比不小于15∶1；

4)将活性金属颗粒与步骤3)中制得的[Ca₂₄Al₂₈O₆₄]⁴⁺·[2(1-x)O^2-]·4xe^-氧化物半导体薄片按质量比不小于15∶1封装到真空度小于10^-5pa的石英管中，然后将封装好的石英管置于高温重烧实验炉中加热还原；还原条件为：还原温度800～1100℃，还原时间10～300h。

2.一种权利要求1所述方法制备得到的[Ca₂₄Al₂₈O₆₄]⁴⁺·[2(1-x)O^2-]·4xe^-多晶块体的应用，其特征在于所述应用领域为半导体领域。