[发明专利]一种MEMS电容式压力传感器的敏感结构

权利要求书

1.一种MEMS电容式压力传感器的敏感结构，其特征在于所述的敏感结构为一平板电容，其上极板为高掺杂的导电单晶硅薄膜，下极板为衬底上的平板导体；通过键合工艺将上极板和下极板所在硅片键合起来，从而形成完整的平板电容结构；所述导电单晶硅薄膜系经过B⁺离子注入形成高掺杂层，所述高掺杂层作为刻蚀停止层；

所述下极板的制作方法为：在N型硅片表面通过高B扩散或者B+离子注入引入重掺杂埋层，在硅片上外延N型硅层；然后在硅片正面光刻注入B+离子，将B杂质推进到埋层位置，形成与重掺杂埋层连接的高掺杂导电通路；再在衬底上光刻并注入B+离子，形成重掺杂键合环。

2.如权利要求1所述的MEMS电容式压力传感器的敏感结构，其特征是所述键合工艺是硅硅键合工艺。

3.如权利要求1或2所述的MEMS电容式压力传感器的敏感结构，其中上极板为高掺杂的导电单晶硅薄膜，该薄膜的形成通过在单晶硅圆片上通过两次各向异性湿法腐蚀工艺制作而成。

4.如权利要求1或2所述的MEMS电容式压力传感器的敏感结构，该平板电容的下极板通过衬底下面的重掺杂埋层将电极引出到键合腔体之外。