[发明专利]接收接口电路和包括接收接口电路的存储器系统在审
申请号: | 201710505338.6 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107564557A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 姜大云;西达尔特;任政炖 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 张川绪,王兆赓 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收 接口 电路 包括 存储器 系统 | ||
1.一种接收接口电路,包括:
接收缓冲器,被配置为通过输入-输出节点接收输入信号;
电压产生电路,被配置为基于在输入-输出节点的反射特性,产生至少一个控制电压;
接收限制电路,连接到输入-输出节点,并且接收限制电路被配置为基于所述至少一个控制电压,限制输入信号的最大电压电平和最小电压电平中的至少一个。
2.如权利要求1所述的接收接口电路,其中,接收限制电路包括:
第一反射限制器,连接在输入-输出节点与第一电源电压之间,并且第一反射限制器被配置为基于所述至少一个控制电压中的第一控制电压,限制输入信号的最大电压电平;
第二反射限制器,连接在输入-输出节点与小于第一电源电压的第二电源电压之间,并且第二反射限制器被配置为基于所述至少一个控制电压中的第二控制电压,限制输入信号的最小电压电平。
3.如权利要求2所述的接收接口电路,其中,
第一反射限制器包括连接在输入-输出节点与第一电源电压之间的P沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管,第一控制电压被施加到PMOS晶体管的栅极,
第二反射限制器包括连接在输入-输出节点与第二电源电压之间的N沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管,第二控制电压被施加到NMOS晶体管的栅极。
4.如权利要求2所述的接收接口电路,其中,电压产生电路包括:
第一分压器,被配置为产生第一控制电压;
第二分压器,被配置为产生第二控制电压。
5.如权利要求4所述的接收接口电路,其中,第一分压器包括:
第一电阻器,连接在第一电压与第一节点之间;
第二电阻器,连接在第一节点与低于第一电压的第二电压之间;
其中,第一电阻器和第二电阻器中的至少一个是可变电阻器,使得可变电阻器的阻值基于在输入-输出节点的反射特性而被改变。
6.如权利要求4所述的接收接口电路,其中,第二分压器包括:
第三电阻器,连接在第三电压与第二节点之间;
第四电阻器,连接在第二节点与低于第三电压的第四电压之间;
其中,第三电阻器和第四电阻器中的至少一个是可变电阻器,使得可变电阻器的阻值基于在输入-输出节点的反射特性而被改变。
7.如权利要求2所述的接收接口电路,其中,电压产生电路包括:
第一电荷泵,被配置为产生第一控制电压;
第二电荷泵,被配置为产生第二控制电压。
8.如权利要求7所述的接收接口电路,其中,第一电荷泵执行电压增加操作,以提供高于第一电源电压的电压作为第一控制电压,第二电荷泵执行电压减小操作,以提供低于第二电源电压的电压作为第二控制电压。
9.如权利要求2所述的接收接口电路,其中,
第一反射限制器包括连接在输入-输出节点与第一电源电压之间的PMOS晶体管以及与PMOS晶体管串联在输入-输出节点与第一电源电压之间的上拉电阻,第一控制电压被施加到PMOS晶体管的栅极,
第二反射限制器包括连接在输入-输出节点与第二电源电压之间的NMOS晶体管以及与NMOS晶体管串联在输入-输出节点与第二电源电压之间的下拉电阻,第二控制电压被施加到NMOS晶体管的栅极。
10.如权利要求1所述的接收接口电路,还包括:
传输驱动器,被配置为驱动输入-输出节点,
其中,接收限制电路被包括在传输驱动器中。
11.如权利要求1所述的接收接口电路,其中,接收限制电路连接在电源电压与输入-输出节点之间,接收限制电路基于所述至少一个控制电压限制输入信号的最大电压电平。
12.如权利要求1所述的接收接口电路,其中,接收限制电路连接在地电压与输入-输出节点之间,接收限制电路基于所述至少一个控制电压限制输入信号的最小电压电平。
13.如权利要求1所述的接收接口电路,其中,接收限制电路执行用于限制输入信号的最大电压电平和最小电压电平中的至少一个的反射限制功能,并同时执行输入-输出节点的静电放电保护功能和终结功能。
14.如权利要求1所述的接收接口电路,其中,电压产生电路还基于所述接收接口电路的眼图容限和功耗来产生所述至少一个控制电压。
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