[发明专利]高压元件

权利要求书

1.一种高压元件，包含有:

半导体基底，具有第一导电型；

第一离子阱，具有第二导电型；

萧基二极管，设于该第一离子阱中；

绝缘结构，设于该第一离子阱中，且环绕该萧基二极管；以及

辅助栅极，仅设于该绝缘结构上，环绕该萧基二极管，其中该辅助栅极经由第一接触元件、内连线以及第二接触元件电连接至该萧基二极管，其中该第一接触元件连接于该辅助栅极，该第二接触元件连接于该萧基二极管，且该内连线连接于第一接触元件和第二接触元件之间。

2.如权利要求1所述的高压元件，其中该萧基二极管包含硅化金属层，直接接触该第一离子阱。

3.如权利要求1所述的高压元件，其中另包含第二离子阱，具有该第一导电型，位于该第一离子阱中，其中该第二离子阱设于该绝缘结构的一内侧，环绕该萧基二极管，并与该绝缘结构的一内侧部分重叠。

4.如权利要求3所述的高压元件，其中另包含硅化金属阻障层，位于该第二离子阱上，环绕该萧基二极管，并延伸至该绝缘结构的该内侧部分的上方。

5.如权利要求4所述的高压元件，其中另包含第一重掺杂区，具有该第一导电型，位于该萧基二极管与该绝缘结构之间，且该第一重掺杂区环绕该萧基二极管。

6.如权利要求3所述的高压元件，其中另包含一阴极，位于该第一离子阱中，且该阴极设于该绝缘结构的一外侧，环绕该绝缘结构的一外侧部分。

7.如权利要求6所述的高压元件，其中该绝缘结构的该外侧部分的厚度小于该绝缘结构的该内侧部分的厚度。

8.如权利要求6所述的高压元件，其中该辅助栅极仅接触该绝缘结构的该外侧部分。

9.如权利要求6所述的高压元件，其中该辅助栅极包含第一部分，位于该绝缘结构的该外侧部分的一表面上，以及第二部分，深入到该绝缘结构的该外侧部分中。

10.如权利要求1所述的高压元件，其中该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。

11.如权利要求1所述的高压元件，其中该辅助栅极包含多晶硅。

12.如权利要求1所述的高压元件，其中该半导体基底包含硅基底、外延半导体基底或硅覆绝缘基底。

13.如权利要求4所述的高压元件，其中该辅助栅极不直接接触到该硅化金属阻障层。

14.一种高压元件布局结构，包含有:

半导体基底，具有第一导电型；

第一离子阱，具有第二导电型；

萧基二极管，设于该第一离子阱中；

环状绝缘结构，设于该第一离子阱中，且环绕该萧基二极管；以及

环状辅助栅极，仅设于该绝缘结构上，环绕该萧基二极管，其中该环状辅助栅极经由第一接触元件、内连线以及第二接触元件电连接至该萧基二极管，其中该第一接触元件连接于该辅助栅极，该第二接触元件连接于该萧基二极管，且该内连线连接于第一接触元件和第二接触元件之间。

15.如权利要求14所述的高压元件布局结构，其中另包含环状第二离子阱，具有该第一导电型，位于该第一离子阱中，其中该环状第二离子阱设于该环状绝缘结构的一内侧，环绕该萧基二极管，并与该环状绝缘结构的内侧部分重叠。

16.如权利要求15所述的高压元件布局结构，其中另包含环状硅化金属阻障层，位于该环状第二离子阱上，环绕该萧基二极管，并延伸至该环状绝缘结构的该内侧部分的上方。