[发明专利]一种折弯记忆性强的高速扁平排线及其制造方法

权利要求书

1.一种折弯记忆性强的高速扁平排线，包括大致布置在同一平面内，间隔排列或者贴近排列的多个信号单元组，所述的信号单元组为差分信号单元组；其特征在于：还包括粘合剂层和两个折弯复合层，两个折弯复合层围绕所述的信号单元组；所述的粘合剂层位于两个折弯复合层之间，并且将信号单元组周围的折弯复合层彼此粘合；所述的折弯复合层包括依次粘合的内绝缘膜层、折弯金属箔层和外绝缘膜层。

2.根据权利要求1所述的一种折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于：所述的金属箔层采用的金属箔为铝箔、铜箔、银箔或金箔。

3.根据权利要求1所述的一种折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于：所述的金属箔层采用的金属箔为铝箔。

4.根据权利要求1所述的一种折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于：所述折弯复合层在最外侧的信号单元组的外侧均横向延伸一小段，并且彼此粘合。

5.根据权利要求1所述的一种折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于：所述的外绝缘膜层的宽度和内绝缘膜层的宽度均略大于折弯金属箔层，阻断折弯铝箔层与外部接触；或折弯复合层两侧粘合连接的位置处涂覆绝缘漆或者绝缘胶水阻断折弯金属箔层与外部接触。

6.根据权利要求1所述的一种折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于：所述的差分信号单元组包括第一芯线、第一地线以及将第一芯线和第一地线包裹住的第一抗干扰绝缘层，所述的第一芯线为二根，且每根第一芯线包括第一导体和包裹住第一导体的第一纵向绝缘体；或所述的第一芯线为一根，其包括2根第一导体和包裹住2根第一导体、且将2根第一导体分割开的第一纵向绝缘体。

7.根据权利要求6所述的一种折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于：所述的第一抗干扰绝缘层为铝箔麦拉层。

8.根据权利要求3所述的一种折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于：所述的第一地线为一根，布置在第二芯线的一侧；或所述的第一地线为两根，对称分布在第一芯线的上下侧或者左右侧。

9.根据权利要求1所述的一种折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于：所述的外绝缘膜层和内绝缘膜层为可增强机械折弯记忆性的绝缘材料。

10.一种权利要求1-9所述的任一折弯记忆性强的高速扁平排线的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：押出第一芯线，第一芯线和第一地线外围绕包第一抗干扰绝缘层，组成差分信号单元组；

步骤2：将步骤1制成的差分信号单元组平行排列，内绝缘膜层上涂覆粘合剂层，有粘合剂层的一侧靠近信号单元组，将内绝缘膜层碾压在平行排列的信号单元组上；

步骤3：将折弯金属箔层通过胶水粘合并碾压在内绝缘膜层上；

步骤4：将外绝缘膜层通过胶水粘合并碾压在折弯金属箔层上。

11.一种带控制信号的折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于，所述的高速扁平排线为权利要求1-9任一权利要求所述的折弯记忆性强的高速扁平排线，所述的信号单元组还包括至少一个控制信号单元组，且差分信号单元组和控制信号单元组间任意排列。

12.根据权利要求11所述的一种带控制信号的折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于，所述的控制信号单元组包括第二芯线，第二芯线包括第二导体和包裹住第二导体的第二纵向绝缘体；所述的第二芯线外围包覆有第二抗干扰绝缘层。

13.根据权利要求12所述的一种折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于：所述的第二抗干扰绝缘层为铝箔麦拉层。

14.根据权利要求12所述的一种带控制信号的折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于，所述的第二抗干扰绝缘层内还包裹有至少一根第二地线。

15.根据权利要求11所述的一种带控制信号的折弯记忆性强的高速扁平排线，其特征在于，所述的控制信号单元组包括至少五个控制信号单元组，所述控制信号单元组每五个相邻排列且至多五个相邻排列。

16.一种带控制信号的折弯记忆性强的高速扁平排线的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：押出第一芯线，第一芯线和第一地线外围绕包第一抗干扰绝缘层，组成差分信号单元组；

步骤2：押出第二芯线，所述的第二芯线和第二地线外围绕包第二抗干扰绝缘层，组成控制信号单元组；

步骤3：将步骤1、步骤2制成的差分信号单元组、控制信号单元组任意平行排列组成信号单元组，信号单元组的上下两侧放置内绝缘膜层，内绝缘膜层上涂覆粘合剂层，有粘合剂层的一侧靠近信号单元组，将内绝缘膜层碾压在平行排列的信号单元组上；

步骤4：将折弯金属箔层通过粘合剂粘合并碾压在内绝缘膜层上；

步骤5：将外绝缘膜层通过粘合剂粘合并碾压在折弯金属箔层上。