[发明专利]微型多阵列传感器在审

专利信息
申请号: 201710507120.4 申请日: 2017-06-28
公开(公告)号: CN107561120A 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 安范模;朴胜浩;边圣铉 申请(专利权)人: 普因特工程有限公司
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 代理人: 刘红梅,王漪
地址: 韩国忠*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 微型 阵列 传感器
【权利要求书】:

1.一种微型多阵列传感器,包括:

衬底;

形成在衬底上的传感器电极;以及

形成在衬底上的加热器电极,

其中,所述传感器电极包括形成在衬底上的第一传感器电极和形成在衬底的与所述第一传感器电极相对的表面上的第二传感器电极,并且

所述加热器电极布置成相比于第二传感器电极更靠近第一传感器电极。

2.根据权利要求1所述的微型多阵列传感器,其中,所述第二传感器电极布置在所述第一传感器电极下方。

3.根据权利要求1或2所述的微型多阵列传感器,其中,所述衬底包括第一支撑部分和形成在所述第一支撑部分周围的气隙,

所述加热器电极包括形成在所述第一支撑部分上的热生成图案以及连接到热生成图案的加热器电极焊盘,

所述第一传感器电极包括形成在所述第一支撑部分上的第一传感器布线和连接到所述第一传感器布线的第一传感器电极焊盘,并且

所述第二传感器电极包括形成在所述第一支撑部分的与所述第一传感器布线相对的表面上的第二传感器布线和连接到所述第二传感器布线的第二传感器电极焊盘。

4.根据权利要求1或2所述的微型多阵列传感器,其中,所述衬底是阳极氧化物膜,通过阳极氧化由金属材料制成的基底材料然后去除所述基底材料获得所述阳极氧化物膜。

5.根据权利要求3所述的微型多阵列传感器,其中,所述气隙是形成为从衬底的上表面延伸到衬底的下表面的空间。

6.根据权利要求3所述的微型多阵列传感器,其中,所述衬底还包括第二支撑部分和配置成连接所述第一支撑部分和所述第二支撑部分的桥部分,并且

所述加热器电极焊盘、所述第一传感器电极焊盘和所述第二传感器电极焊盘形成在所述第二支撑部分和所述桥部分中。

7.根据权利要求3所述的微型多阵列传感器,其中,哑元金属形成在所述热生成图案的端部之间的空间中的第一支撑部分上。

8.根据权利要求3所述的微型多阵列传感器,其中,所述第一支撑部分由多孔材料制成。

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