[发明专利]氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线制备法有效
| 申请号： | 201710507325.2 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107364892B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 田浩亮;高俊国;汤智慧;王长亮;郭孟秋;崔永静;张欢欢;周子民 | 申请（专利权）人： | 中国航发北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C01G41/02 | 分类号： | C01G41/02;B82Y40/00;B01D53/02 |
| 代理公司： | 北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙) 11738 | 代理人： | 黄锦阳 |
| 地址： | 100095*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 石墨 原位 生长 法制 中空 结构 纳米 氧化钨 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：称取1g氧化石墨烯，经无水乙醇和去离子水超声后获得氧化石墨烯分散液混合液；
步骤2：分别称取质量百分比为99％的偏钨酸铵和1％的羰基钨混合成含钨的前驱体混合物，称取1g含钨前驱体混合物加入到步骤1获得的氧化石墨烯分散液混合液中，搅拌50min，搅拌过程中不断滴入无水乙醇，滴入量为168g，随后将得到的沉淀抽滤，在烘箱中加热80℃，烘干20min，将得到的干燥粉体；
步骤3：将步骤2获得的干燥粉体置于氧化铝坩埚中，在管式还原炉中通一定量H2，H2流量为l00sccm，以90℃/min的升温速率，加热至1100℃，保温时间为2h，最后通H2冷却至室温，获得氧化石墨烯原位生长中空结构纳米氧化钨线。
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