[发明专利]数据储存装置以及快闪存储器控制方法

说明书

本发明揭露一种数据储存装置、及其快闪存储器的控制方法。快闪存储器的实体空间包括多个区块。一控制器用于管理该等区块，使该等区块部分选入闲置队列以待配置作系统区块或作数据区块，此外，部分该等区块则是选入冻结队列冻结不用。该控制器更监控该冻结队列以及该闲置队列内各区块的抹除计数。当冻结队列额满、且闲置队列有区块的抹除计数超越该冻结队列任一区块的抹除计数时，控制器将该冻结队列中抹除计数最低的区块自该冻结队列释放，并将该闲置队列中抹除计数最高的区块改选入该冻结队列冻结不用，使该快闪存储器的抹写平均。

本申请是2013年9月4日申请的，申请号为201310398842.2，发明名称为“数据储存装置以及快闪存储器控制方法”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明是有关于数据储存装置，特别有关于快闪存储器(FLASH memory)的平均抹写(wear leveling)。

背景技术

现今数据储存装置常以快闪存储器(FLASH memory)为储存媒体。以与非门型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例，常用作存储卡(memory card)、通用序列总线闪存装置(USBflash device)、固态硬盘(SSD)…等产品。另外有一种应用是采多芯片封装、将NAND FLASH芯片与控制芯片包成一颗芯片─称为嵌入式快闪存储器模块(eMMC)。

快闪存储器的实体空间通常包括数个区块(blocks)。一区块需要完整抹除(erase)后方能被重新配置。然而，一区块的可抹除次数有限，抹写过多次的区块会损坏。为了延长快闪存储器的寿命，平均抹写(wear leveling)为本技术领域一项重要课题，目的是使不同区块的抹写次数差异不过大。

发明内容

本发明揭露一种数据储存装置以及一种快闪存储器控制方法。

根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置包括一控制器以及一快闪存储器。该快闪存储器的实体空间包括数个区块。该控制器是用于管理该等区块，使该等区块部分选入闲置队列以待配置作系统区块或作数据区块，并使该等区块部分选入冻结队列冻结不用。该控制器更监控该冻结队列以及该闲置队列内各区块的抹除计数。当该冻结队列额满、且该闲置队列有区块的抹除计数超越该冻结队列任一区块的抹除计数时，该控制器将该冻结队列中一第一区块自该冻结队列释放，并将该闲置队列中一第二区块改选入该冻结队列冻结不用，使该快闪存储器的抹写平均。该第一区块可为该冻结队列中抹除计数最低或者次低的区块，亦可为属于较低抹除计数的该群区块中任选其一。该第二区块可为该闲置队列中抹除计数最高或者次高的区块，亦可为属于较高抹除计数的该群区块中任选其一。

根据本发明一种实施方式所实现的一快闪存储器控制方法包括以下步骤：管理一快闪存储器的数个区块，使该等区块部分选入闲置队列以待配置作系统区块或作数据区块，并使该等区块部分选入冻结队列冻结不用；监控该冻结队列以及该闲置队列内各区块的抹除计数；以及，当该冻结队列额满、且该闲置队列有区块的抹除计数超越该冻结队列任一区块的抹除计数时，将该冻结队列中一第一区块自该冻结队列释放，并将该闲置队列中一第二区块改选入该冻结队列冻结不用，使该快闪存储器的抹写平均。该第一区块可为该冻结队列中抹除计数最低或者次低的区块，亦可为属于较低抹除计数的该群区块中任选其一。该第二区块可为该闲置队列中抹除计数最高或者次高的区块，亦可为属于较高抹除计数的该群区块中任选其一。

下文特举实施例，并配合所附图示，详细说明本发明内容。

附图说明

图1以方块图图解根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置；且

图2为流程图，说明本案技术于平均抹写(wear-leveling)管理的一种实施方式。

符号说明：

102～数据储存装置；

104～快闪存储器；