[发明专利]一种量子阱红外探测器件材料的制备方法

权利要求书

1.一种量子阱红外探测器件材料的制备方法，包括：

提供半导体供体衬底，在半导体供体衬底上外延生长缓冲层，之后在缓冲层上生长牺牲层，之后在牺牲层上生长半导体薄膜层；以半导体薄膜层为注入面，对半导体晶片进行离子注入，在牺牲层内形成缺陷层，之后将半导体薄膜层与受体衬底正面键合并对键合结构进行退火处理，之后将半导体薄膜层沿缺陷层从供体衬底剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有受体基底的第二基底，后在去除牺牲层的第二基底上生长量子阱红外探测器结构；

所述半导体薄膜层的组成为GaAs、InP、InGaAs、InAlAs、GaSb、InAs、GaN或前述物质的搀杂材料；

所述半导体供体衬底为GaAs、InP、GaSb、InAs或GaN衬底，或为去除牺牲层的第一基底；

所述牺牲层材料为AlAs、AlSb、InAlAs或InAlSb。

2.根据权利要求1所述的量子阱红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：所述的离子注入深度大于半导体薄膜层的厚度，小于半导体薄膜层的厚度与牺牲层厚度的总和。

3.根据权利要求1所述的量子阱红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：所述牺牲层通过室温环境下自然氧化或者化学方法刻蚀去除。

4.根据权利要求1所述的量子阱红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：所述的受体衬底和1个或2个以上的半导体供体衬底键合。

5.根据权利要求1所述的量子阱红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：所述量子阱红外探测器结构为异质结、量子阱或者超晶格结构。

6.根据权利要求1所述的量子阱红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：缓冲层、牺牲层、半导体薄膜层和量子阱红外探测器结构的外延生长方法包括分子束外延、化学气相沉积及液相外延法。