[发明专利]一种修复电压降的方法及装置

说明书

一种修复电压降的方法及装置，包括：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。本发明实施例降低了存储器内建自测试电路的电压降，降低了电压降对芯片性能的影响，使电压降满足芯片的设计要求。

技术领域

本文涉及但不限于电路测试技术，尤指一种修复电压降的方法及装置。

背景技术

随着集成电路生产工艺的发展，晶体管的特征尺寸不断缩小，使得单芯片能够集成的晶体管越来越多。传统集成电路设计方案难以满足市场要求，工程师们大多采用片上系统(SOC，System On Chip)技术和知识产权(IP，Interllectual Property)复用技术设计集成电路。SOC既需要很高的工作频率来完成复杂的运算任务，又需要多个集成度高的IP来实现不同的运算功能。高性能和高集成度将会引起高的电流密度，从而大幅增加芯片的电压降(IR-drop)。而IR-drop会降低芯片的性能，严重时甚至会导致芯片失效。

存储器内建自测试(mbist，Memory Build-in Self Test)电路是SOC设计中必不可少的一部分，但mbist测试电路往往会存在严重的IR-drop问题，相关技术中一般采用补强电源网格的方法进行电压降的修复，但修复一般无法达到预期效果，影响芯片性能。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本发明实施例提供了一种修复电压降的方法及装置，能够降低芯片的电压降，降低电压降对芯片性能的影响，使电压降满足芯片设计要求。

本发明实施例提供了一种修复电压降的方法，包括：

区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；

为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。

可选的，所述将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组包括：

将一个或一个以上所述功能模块的存储器划分至一个所述存储器分组。

可选的，所述方法还包括：

确定是否存在电压降不满足预设的芯片参数要求的存储器分组；

对不满足预设的芯片参数要求的所述存储器分组，若该存储器分组由两个或两个以上所述功能模块的存储器组成，将该存储器分组包含的存储器根据区分的功能模块重新划分为两个或两个以上所述存储器分组；

为重新划分的所述存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同重新划分的所述存储器分组的存储器在不同时间工作。

可选的，所述分别配置相应的测试向量包括：

基于可测试性设计(DFT)平台分别配置各所述存储器分组相应的测试向量，以控制物理位置相邻的两个存储器分组的存储器在不同时间工作。

另一方面，本发明实施例提供了一种修复电压降的装置，包括：划分单元、配置单元；其中，

划分单元用于：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；

配置单元用于：为划分单元划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。

可选的，所述划分单元具体用于：

区分芯片的各功能模块，将区分的一个或一个以上功能模块的存储器划分至一个所述存储器分组。