[发明专利]一种基于复合结构的温度补偿薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种基于复合结构的温度补偿薄膜体声波谐振器，包括衬底，其特征在于，还包括所述衬底的上表面带有凹槽，所述凹槽设有边界；所述衬底上设有底电极层；所述底电极层上设有温度补偿层，所述温度补偿层的边界延伸到所述凹槽的边界以外；所述温度补偿层上设有压电层；所述压电层上设有顶电极层；所述压电层上设有保护层，所述保护层与压电层紧贴；所述保护层与顶电极层不接触；所述保护层位于顶电极层的外部，所述保护层至少覆盖所述温度补偿层的边界的上方；所述保护层的材质为导电材料。

2.一种基于复合结构的温度补偿薄膜体声波谐振器，包括衬底，其特征在于，还包括所述衬底的上表面带有凹槽，所述凹槽设有边界；所述衬底上设有底电极层；所述底电极层上设有温度补偿层，所述温度补偿层的边界延伸到所述凹槽的边界以外；所述温度补偿层上设有压电层；所述压电层上设有顶电极层；所述顶电极层的第一方向上延伸出凹槽的边界以外，所述顶电极层的其它方向上保留在凹槽的边界以内；所述压电层上设有保护层，所述保护层与压电层紧贴；所述保护层与顶电极不接触；所述保护层位于顶电极的外部，所述保护层在顶电极层的其它方向上覆盖了所述温度补偿层的边界的上方，在顶电极层的第一方向上不覆盖温度补偿层的边界的上方；所述保护层的材质为导电材料。

3.一种基于复合结构的温度补偿薄膜体声波谐振器，包括衬底，其特征在于，还包括所述衬底的上表面带有凹槽，所述凹槽设有边界；所述衬底上设有复合结构层；所述复合结构层上设有压电层；所述压电层上设有顶电极层；所述压电层上设有保护层，所述保护层与压电层紧贴；所述保护层与顶电极不接触；所述保护层位于顶电极的外部，所述保护层至少覆盖温度补偿层的边界的上方；其中，所述复合结构层包括：i.位于衬底上的底电极层；ii.位于底电极层上的温度补偿层，所述温度补偿层的边界延伸到凹槽的边界以外；iii.位于温度补偿层上的超薄电极层，该超薄电极层与底电极层导电连接；所述保护层的材质为导电材料；其中：所述顶电极层的第一方向上延伸出凹槽的边界以外，所述顶电极层的其它方向上保留在凹槽的边界以内；且所述保护层在顶电极层的其它方向上覆盖了所述温度补偿层的边界的上方，所述保护层在顶电极层的第一方向上不覆盖温度补偿层的边界的上方。

4.一种基于复合结构的温度补偿薄膜体声波谐振器，包括衬底，其特征在于，还包括所述衬底的上表面带有凹槽，所述凹槽设有边界；所述衬底上设有第一电极层；所述第一电极层上设有第一压电层；所述第一压电层上设有第二电极层；所述第二电极层上设有温度补偿层，所述的温度补偿层的边界延伸到凹槽的边界以外；所述温度补偿层上设有第二压电层；所述第二压电层上设有第三电极层；所述第二压电层上设有保护层，所述保护层与第二压电层紧贴；所述保护层与第三电极层不接触；所述保护层位于第三电极层的外部，所述保护层至少覆盖所述温度补偿层的边界的上方；所述保护层的材质为导电材料；其中：所述第三电极层的第一方向上延伸出所述凹槽的边界以外，所述第三电极层的其它方向上保留在凹槽的边界以内；且所述保护层在所述第三电极层的其它方向上覆盖了所述温度补偿层的边界的上方，所述保护层在第三电极层的第一方向上不覆盖温度补偿层的边界的上方。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种基于复合结构的温度补偿薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述保护层的材质为导电材料时，该保护层不与所述顶电极层接触。

6.根据权利要求5所述的一种基于复合结构的温度补偿薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的凹槽为空气腔。

7.根据权利要求6所述的一种基于复合结构的温度补偿薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数的数值相反。

8.根据权利要求7所述的一种基于复合结构的温度补偿薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层的材质为碲氧化物、氧化硅中的一种或两种的组合物。