[发明专利]一种金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法及电学器件

权利要求书

1.一种含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A、通过金属卤化物在有机醇中进行加热醇解制备含卤素配体金属氧化物纳米颗粒；

步骤B、将含卤素配体金属氧化物纳米颗粒采用溶液法制备得到含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜；

所述有机醇为苯基醇。

2.根据权利要求1所述的含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：将金属卤化物与有机醇混合，然后加热，最后通过第一有机溶剂和第二有机溶剂对反应体系进行离心分离处理，得到含卤素配体金属氧化物纳米颗粒；

所述第一有机溶剂和所述第二有机溶剂的极性不同。

3.根据权利要求2所述的含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属卤化物与有机醇相应的摩尔与体积比例范围为（1-3mmol）：(5-20ml)；

和/或所述金属卤化物为TiCl₄、TiBr₄、TiI₄、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂中的一种；

和/或所述苯基醇包括：苯甲醇、苯乙醇、苯丁醇、2,4-苯二乙醇、1,4-苯二乙醇、3,4-苯二乙醇、2,4-苯二甲醇、1,4-苯二甲醇、3,4-苯二甲醇、2,4-苯二丁醇、1,4-苯二丁醇、3,4-苯二丁醇中的一种或多种；

和/或所述第一有机溶剂和所述第二有机溶剂的极性不同，所述第一有机溶剂为乙醇、甲醇、丙酮中的一种或多种；

和/或所述第二有机溶剂为乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲酸乙酯中的一种或多种；

和/或所述金属氧化物纳米颗粒为TiO₂、ZnO、SnO₂、Zn₂SnO₄中的一种，所述金属氧化物纳米颗粒的尺寸在1-15nm之间；

和/或卤素相对于金属氧化物纳米颗粒的外表面的金属元素的摩尔比为10%-15%；

和/或所述卤素配体为卤原子和卤离子中的一种，所述卤原子为F、Cl、Br、I中的一种，所述卤离子为F^-、Cl^-、Br^-、I^-中的一种。

4.根据权利要求2所述的含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，加热的温度为40-150℃，加热的时间为1-4h，所述金属卤化物的浓度为0.1-0.5mmol/ml。

5.根据权利要求1所述的含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤B具体包括：

将含卤素配体金属氧化物纳米颗粒分散在混合的极性溶剂和非极性溶剂中，得到含卤素配体金属氧化物纳米颗粒溶液；

将所述含卤素配体金属氧化物纳米颗粒溶液采用溶液法制备得到含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜。

6.根据权利要求1所述的含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤B之后，还包括：

步骤C、利用卤素分子对含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜进行钝化处理，制备得到表面卤素钝化的含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜。

7.根据权利要求6所述的含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，

所述卤素分子为卤素单质和卤间化合物中的一种，所述卤素单质为F₂、Cl₂、Br₂、I₂中的一种，所述卤间化合物为ICl、IBr、ICl₃中的一种。

8.一种电学器件，所述电学器件包括电子传输层，其特征在于，所述电子传输层材料为权利要求1至5任意一项所述制备方法制备得到的所述含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜或权利要求6或7所述制备方法制备得到的表面卤素钝化的含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜中的一种。