[发明专利]一种车用传感器芯片的制备方法

权利要求书

1.一种车用传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、化合物半导体单晶材料磨片，得到芯片；

S2、腐蚀；把芯片浸入腐蚀液中进行化学减薄，减至0.2mm以下；

S3、清洗；

S4、贴片；胶固化条件为150℃半小时；芯片加热到50-60℃，再将其贴在平坦的陶瓷片上；

S5、二氧化硅沉积；

S6、蒸镀金属电极；

S7、通过半导体加工工艺加工成传感器芯片。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述化合物半导体单晶材料为n型砷化铟。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1中所述磨片具体为，用金刚砂研磨化合物半导体单晶材料至0.3mm。

4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述腐蚀液为：HNO₃:HF:CH₃COOH:Br₂＝4:1:1:0.5。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S3中所述清洗具体为将芯片放入丙酮超声清洗；再过渡到乙醇，最后放入去离子水清洗，氮气吹干。

6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S4中所述胶为固化剂和环氧树脂的混合物，耐300℃的高温；胶粘度为50cps。

7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S5中所述二氧化硅沉积条件为：SiH₄：30cm³/min，N₂O：300cm³/min，He：250cm³/min；功率：150W，温度：270℃，压力：106Pa。

8.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S6中所述金属电极为铟。

9.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S6中所述蒸镀金属电极采用射频磁控溅射的方法镀金属电极；溅射室本底真空度为1.0×10^-5～9.9×10^-5Pa，溅射前通入镀膜室氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～1.5Pa；溅射时氩气气压为0.2～2.7Pa，溅射沉积速率为0.03～0.33nm/分钟。

10.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S7中所述一般的半导体加工工艺包括：甩胶、曝光、显影、坚膜、刻蚀等。