[发明专利]一种半导体激光器材料的制备方法

权利要求书

1.一种半导体激光器材料的制备方法，包括：

提供半导体供体衬底，并在该供体基底上外延生长缓冲层，在所述缓冲层上生长牺牲层，在所述牺牲层上生长半导体薄膜层；

在半导体薄膜层侧进行离子注入，在所述牺牲层内形成缺陷层；

提供半导体受体衬底，并使所述半导体薄膜层和半导体受体衬底键合；

对缺陷层进行退火处理，将顶层薄膜沿牺牲层从供体衬底上剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有半导体薄膜层的第二基底，并去除第二基底上的牺牲层，得到键合有半导体薄膜层的柔性基底；

所述半导体供体衬底为GaSb、GaAs、InP、InAs或InSb衬底；

所述牺牲层为AlSb、AlAs、InAlAs或InAlSb；

所述半导体薄膜层为GaSb、GaAs、InP、InGaAs、InAlAs、InAs、InSb或以上物质的掺杂材料；

所述半导体受体衬底为晶圆级Si或Ge；

所述的离子注入的深度大于半导体薄膜层的厚度，小于半导体薄膜层的厚度与牺牲层厚度的总和。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器材料的制备方法，其特征在于：所述方法进一步包括在键合有半导体薄膜层的柔性基底的半导体薄膜层上生长半导体激光器器件结构。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器材料的制备方法，其特征在于：所述牺牲层通过室温环境下自然氧化或化学方法刻蚀去除。

4.根据权利要求2所述的半导体激光器材料的制备方法，其特征在于：缓冲层、牺牲层和半导体薄膜层通过分子束外延、化学气相沉积或液相外延方法生长。