[发明专利]一种外延层剥离装置及剥离方法有效
申请号: | 201710509575.X | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107424944B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 兰立广 | 申请(专利权)人: | 紫石能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京正和明知识产权代理事务所(普通合伙) 11845 | 代理人: | 李建刚 |
地址: | 102208 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 外延 剥离 装置 方法 | ||
1.一种外延层剥离装置,用于依次包含有衬底、牺牲层、外延层和支撑层的待剥离件的外延层剥离,其特征在于,所述装置包括上端开口的盒体,所述盒体底部设置有弹性缓冲结构;所述待剥离件放置于所述弹性缓冲结构上方时,所述待剥离件的所述支撑层边沿位于所述盒体侧壁上;
所述弹性缓冲结构包括弹性缓冲块和在所述弹性缓冲块上方水平放置的轻质支撑块;所述盒体内壁上设置的限位槽,所述轻质支撑块可沿所述限位槽在所述盒体内上下移动。
2.根据权利要求1所述的外延层剥离装置,其特征在于,所述盒体侧壁的顶部沿其厚度具有向内倾斜的支撑面。
3.根据权利要求1所述的外延层剥离装置,其特征在于,所述的弹性缓冲结构为与所述盒体一体或分离的弹性缓冲块。
4.根据权利要求1所述的外延层剥离装置,其特征在于,所述装置还包括可放置在所述待剥离件的所述支撑层上方的压块。
5.根据权利要求1所述的外延层剥离装置,其特征在于,所述盒体的侧壁和/或底壁上设置有可供腐蚀液进入的孔。
6.根据权利要求1所述的外延层剥离装置,其特征在于,所述限位槽位于所述盒体内部中间位置。
7.根据权利要求1或3所述的外延层剥离装置,其特征在于,所述弹性缓冲块为含氟材料的多孔结构弹性体。
8.一种根据权利要求1至7之任一项所述的外延层剥离装置的外延层剥离方法,其特征在于,所述方法包括:
(1)将所述待剥离件放置于所述盒体底部的所述弹性缓冲结构上方,使所述待剥离件的所述支撑层边沿位于所述盒体侧壁上;
(2)将所述外延层剥离装置连同所述待剥离件一起浸没于腐蚀液中,进行所述待剥离件的所述牺牲层的腐蚀,从而实现所述待剥离件的所述外延层与所述衬底之间的分离。
9.根据权利要求8所述的外延层剥离方法,其特征在于,该方法还包括:
在所述待剥离件的所述支撑层的上方放置压块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造