[发明专利]一种多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法

说明书

本发明提供了一种多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法，所述方法包括：将填充剂填充至预设的填充区域，预设的填充区域为两芯片之间的缝隙；将填充结束后的多光谱双芯片红外探测器放置在真空环境中使填充剂固化。本发明实施例提供的多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法，通过对填充剂填充区域的摸索，并使用一定的真空环境进行胶水固化，解决了多光谱双芯片红外探测器底部填充时填充不饱满的问题。

技术领域

本发明涉及红外探测器领域，特别涉及一种多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法。

背景技术

红外焦平面探测器广泛应用于航空、航天、光学遥感、监控及测量领域，大视场高分辨率成像作为遥感器发展的一个重要方向，为了满足航天用红外成像系统长焦距、大视场、高分辨率以及多光谱探测的要求，同时基于碲镉汞材料特性及工艺技术难度，目前采用长线列双探测器芯片的倒装互连方法。在进行两个长线列探测器芯片互连工艺中，将两个长线列探测器芯片分别互连到单读出电路模块上的对应位置，从而实现了两个探测器芯片在单读出电路模块上的并排互连，图1为现有技术中多谱段碲镉汞混成芯片制造过程示意图。

航天用红外成像系统另外一个重要的要求是高可靠性、长寿命。影响碲镉汞探测器组件寿命的因素较多，其中探测器芯片寿命是最重要的一项，经过多年的技术研究，目前通过芯片底部填充技术可以大幅提高探测器芯片寿命，因此底部填充技术成为连接芯片与读出电路应用可靠性保证的重要环节，是器件满足长寿面和抵抗极端恶劣环境要求的关键步骤。

图2为现有技术中底部填充工艺示意图，在图2中，Top die-Flip chip表示芯片，Bottom die-Wire bonded表示电路，Package substrate表示铟球。但是在本申请的多光谱双芯片红外探测器混成芯片是由两个长线列探测器芯片分别互连到单读出电路模块上的对应位置，在进行下一步底部填充的时候时，通过毛细作用让胶水将探测器芯片与读出电路之间的缝隙填满，由于多了中间的探测器与探测器之间的缝隙，从而引起填充不饱满的现象。

发明内容

为了能够有效解决现有技术中多光谱双芯片红外探测器底部填充时填充不饱满的问题，本发明提供了一种多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法。

本发明提供的一种多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法，包括以下步骤：

将填充剂填充至预设的填充区域，所述预设的填充区域为两芯片之间的缝隙；

将填充结束后的多光谱双芯片红外探测器放置在真空环境中使填充剂固化。

具体的，在本发明所述的多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法中，所述预设的填充区域为两芯片之间缝隙的1/3处～2/3处。

更加具体的，两芯片之间的缝隙为100～200微米。

具体的，在本发明所述的多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法中，所述填充剂为环氧树脂。

更加具体的，所述填充剂的用量为5～6mg。

作为本发明一种具体的实施方式，将填充剂填充至预设的填充区域，所述预设的填充区域为两芯片之间的缝隙，包括：

将5～6mg的环氧树脂填充至两芯片之间缝隙的1/3处～2/3处，所述两芯片之间的缝隙为100～200微米。

具体的，在本发明所述的多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法中，将填充结束后的多光谱双芯片红外探测器放置在真空环境中使填充剂固化，包括：

将填充结束后的多光谱双芯片红外探测器放置在100～150mba的真空环境中，加热至90～100℃使填充剂固化。

本发明的有益效果如下：