[发明专利]一种聚合物光波导芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201710509917.8 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107144919A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 陶青;王珏;刘顿;陈列;娄德元;杨奇彪;彼得·贝内特;翟中生;郑重 | 申请（专利权）人： | 湖北工业大学 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 薛玲 |
| 地址： | 430068 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚合物 波导 芯片 制作方法 | ||
1.一种聚合物光波导芯片的制作方法，其特征在于，包括：
制作凹模具；
将聚合物芯层材料涂覆于所述凹模具的表面；
控制压板的位移，使所述压板对所述聚合物芯层材料进行施压，使得所述聚合物芯层材料填充所述凹模具的凹槽，并使得所述压板与所述凹模具表面的距离为第一距离；
加热固化所述聚合物芯层材料；
将所述聚合物芯层材料与所述凹模具、所述压板剥离，得到聚合物光波导阵列；
对所述聚合物光波导阵列进行切割分块，得到聚合物光波导芯片。
2.根据权利要求1所述的聚合物光波导芯片的制作方法，其特征在于，在真空箱体中完成所述聚合物光波导阵列的制作。
3.根据权利要求2所述的聚合物光波导芯片的制作方法，其特征在于，所述真空箱体的真空度为0～-0.1MPa。
4.根据权利要求1或2所述的聚合物光波导芯片的制作方法，其特征在于，通过超快激光对硅晶圆直写制作所述凹模具。
5.根据权利要求1或2所述的聚合物光波导芯片的制作方法，其特征在于，所述凹模具的凹槽深度为0.3mm、凹槽宽度为0.3mm、凹槽周期为1.5mm。
6.根据权利要求1或2所述的聚合物光波导芯片的制作方法，其特征在于，所述聚合物芯层材料为聚二甲基硅氧烷聚合物。
7.根据权利要求1或2所述的聚合物光波导芯片的制作方法，其特征在于，通过单轴驱动器控制所述压板的位移。
8.根据权利要求1或2所述的聚合物光波导芯片的制作方法，其特征在于，所述第一距离为0.3mm。
9.根据权利要求1或2所述的聚合物光波导芯片的制作方法，其特征在于，所述加热固化的温度为60℃~70℃，所述加热固化的时间为12~24小时。
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