[发明专利]一种GaN功放管偏置保护电路

说明书

一种GaN功放管偏置保护电路，包括GaN功放管，栅压稳压电路A、栅压调整电路B、电压跟随电路C、栅极漏级加电时序保护电路D，所述的栅压稳压电路包括稳压芯片U1，芯片U1接入+5V电源，芯片U1的REG脚端连接所述栅极漏级加电时序保护电路D的输入端，栅极漏级加电时序保护电路D的输出端连接GaN功放管漏极,芯片U1的OUT脚连接栅压调整电路B的输入端，芯片U1的OUT脚还连接电压跟随电路C的输入端，电压跟随电路C的输出端连接GaN功放管栅极，所述栅极漏级加电时序保护电路D还接系统漏级供电电源Vd_IN，可以很好的实现功放偏置上电时序保护和功放开关的快速切换以及功放增益可控的问题。

技术领域

本发明涉及一种电路，更具体地，涉及一种GaN功放管偏置保护电路。

背景技术

射频功率放大器就是将发射机里的射频小功率信号，经过放大，输出足够大的射频功率到天线端。

射频功率放大器的研究进展与电子器件的发展息息相关的。第三代宽禁带半导体功率氮化镓（GaN）功放管依靠禁带宽度大、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、介电常数小以及抗辐射能力强等优点，特别适合应用于高频、高功率和高密度集成的射频功放，并可以在高温恶劣环境下工作。但是GaN功率管是一种相对比较昂贵，并且比较脆弱的器件，所以在设计功率放大器时必须考虑如何保护功率放大器，以避免静电、浪涌、过热过温、过压、过流、过载造成功放故障或者失效。

GaN 功放管是耗尽型器件，在栅极不加电压时就具有电子流动的区域，电流的大小随施加在栅极上的负电压的大小而变化。当栅压和漏压上电时序的不正常，就会造成GaN功放管的内部电流出现瞬时大电流，超过管子本身的极限值，造成功放管过流击穿失效。因此GaN 功放管的偏置控制保护电路的设计就特别重要。

发明内容

本发明为克服上述现有技术所述的至少一种缺陷，提供一种GaN功放管偏置保护电路，实现功放可变增益控制。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：一种GaN功放管偏置保护电路，包括GaN功放管、栅压稳压电路A、栅压调整电路B、电压跟随电路C、栅极漏级加电时序保护电路D，所述的栅压稳压电路包括稳压芯片U1，芯片U1接入+5V电源，芯片U1的REG脚端连接所述栅极漏级加电时序保护电路D的输入端，栅极漏级加电时序保护电路D的输出端连接GaN功放管漏极,芯片U1的OUT脚连接栅压调整电路B的输入端，芯片U1的OUT脚还连接电压跟随电路C的输入端，电压跟随电路C的输出端连接GaN功放管栅极，所述栅极漏级加电时序保护电路D还接系统漏级供电电源Vd_IN。从而解决功放的低时延快速切换以及增益可调整。

进一步地，所述的栅压稳压电路A还包括电容C4、电容C5和电阻R7，芯片U1的OUT脚连接电容C4的一端，电容C4的另一端接地，U1的OUT脚还接电阻R7的一端，电阻R7的另一端接电容C5的一端和栅压调整电路B的输入端， 电容C5另一端接地，电容C4、电容C5、电阻R7共同作用下能够进行滤波。保证了栅极供电的纯净，避免功放引入不相干的杂散。

进一步地，所述的栅压稳压电路A还包括电容C3，电容C3一段接地，电容C3另一端接芯片U1的RADJ脚，电容C3的另一端还连接芯片U1的ADJ脚。使得滤波效果更好。

进一步地，所述的栅压稳压电路A还包括电容C1、C2，电容C1的一端连接芯片U1的C1+脚，电容C1的另一端连接芯片U1的C1-脚，电容C2的一端连接芯片U1的C2+脚，电容C2的另一端连接芯片U2的C2-脚。