[发明专利]抗菌耐磨非晶碳涂层及其制备方法、抗菌耐磨器件

权利要求书

1.一种抗菌耐磨器件，包括基底和覆盖在该基底表面的涂层，其制备方法如下：

(1)将316L医用不锈钢片用无水乙醇和丙酮分别超声清洗不锈钢片15min，然后用氮气吹干，将处理后的不锈钢片置于真空镀膜室中，抽真空至压强为2×10^-3Pa，然后通入氩气至压强为2Pa，打开偏压电源，用氩等离子体进行溅射清洗金属基底15min，得到金属基底A1，溅射清洗条件为电源功率为10kW，对所述金属基底施加的负偏压为-700V，偏压占空比为50％，其中；

(2)将金属基底A1置于磁控溅射镀膜沉积室内，将镀膜沉积室抽真空至压强为1×10^-3Pa，然后以160sccm的流速向沉积室内通入氩气，至压强为4.5Pa，开启偏压电源，以银硅复合靶T1为靶材，其中，银硅复合靶T1中银与硅的面积比为1:10，在金属基底A1上溅射沉积过渡层C2，得到复合基底A11，溅射条件为对所述金属基底A1施加的负偏压为-100V，偏压占空比为50％，靶电流为2A，靶材与金属基底A1距离8cm，沉积时间为10min；

(3)向磁控溅射镀膜沉积室内通入氩气，氩气流量为100sccm，至镀膜沉积室内的压强为2.0Pa，然后再通入乙炔气体，同时开启偏压电源，在中频电场的作用下产生碳等离子体和氩等离子体的混合等离子体，用该混合等离子体溅射银硅复合靶T，银硅复合靶T中银与硅的面积比为1:5，在复合基底A11上沉积银硅共掺杂类石墨非晶碳涂层C1，得到抗菌耐磨非晶碳涂层，溅射条件为：乙炔流量为25sccm，沉积时间为60min，对所述复合基底A11施加的偏压为150V，偏压占空比为60，溅射电流为2A，银硅复合靶T与所述复合基底A11的距离为8cm；

所述抗菌耐磨非晶碳涂层由厚度为1.5μm的银硅共掺杂类石墨非晶碳涂层C1和厚度为100nm的过渡层C2组成；

所述抗菌耐磨器件由金属基底A1和上述抗菌耐磨非晶碳涂层组成，其中，过渡层C2的下底面与金属基底A1接触，过渡层C2的上底面与涂层C1的下底面接触，涂层C1的上底面裸露在抗菌耐磨器件的表面；

其中，最终的涂层中各物质的原子百分含量为：碳77.8at.％，氧12.5at.％，硅5.3at.％，银4.4at.％；

过渡层C2中各物质的原子百分含量为：硅87.9at.％，银12.1at.％；

最终的涂层的拉曼光谱的特征峰为：G峰位于1540cm^-1，D峰位于1350cm^-1；D峰与G峰强度比为1:2.1。