[发明专利]一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法

权利要求书

1.一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法，其特征在于，包括如下步骤：

对SRAM试验器件加载低于正常电压的偏置电压；

对SRAM试验器件进行X射线辐射，记录试验数据；以及

根据试验数据计算偏置电压下对应的单粒子翻转截面。

2.如权利要求1所述的用X射线进行单粒子软错误的试验方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、对SRAM试验器件进行试验前处理；

步骤二、布置X射线光机；

步骤三、对SRAM试验器件加载不同的低于正常电压的偏置电压；

步骤四、对SRAM试验器件进行X射线辐射，记录试验数据，并根据试验数据计算不同偏置电压下对应的单粒子翻转截面。

3.如权利要求2所述的用X射线进行单粒子软错误的试验方法，其特征在于，所述步骤一中，具体包括：对SRAM试验器件进行开盖处理，使芯片裸露，开盖完成后，对芯片进行加电测试，确保芯片可以进行正常的数据读写，并对测试合格的SRAM试验器件进行分组编号。

4.如权利要求2所述的用X射线进行单粒子软错误的试验方法，其特征在于，所述步骤二中，具体包括：通过夹具，将辐照板固定在xyz精密移动平台上，使用激光准直器保证X射线光机的靶室中心和SRAM试验器件的裸露部分在同一水平线上。

5.如权利要求2所述的用X射线进行单粒子软错误的试验方法，其特征在于，所述步骤四中，具体包括：在X射线开始辐射前，写入初始数据55H，然后调节电压至所述步骤三中不同的偏置电压，对SRAM试验器件进行X射线辐射，X射线辐射结束后，回读数据，记录发生单粒子翻转的个数N、通量Φ，计算在不同的偏置电压下的X射线辐照SRAM试验器件的单粒子翻转截面σ，计算公式如下：

σ=NM1ΦAcell]]>

其中，式中M为SRAM试验器件的总位数，A_cell为SRAM试验器件的芯片面积，单位为cm²。

6.如权利要求2所述的用X射线进行单粒子软错误的试验方法，其特征在于，所述步骤三中，具体包括：对SRAM试验器件分别加载0.5V，0.7V，0.9V，或1.1V不同的低于正常电压1.5V的偏置电压，并加载50kV的管电压和30mA的管电流。

7.如权利要求2所述的用X射线进行单粒子软错误的试验方法，其特征在于，还包括步骤：在SRAM试验器件前放置1mm厚的Al板滤光片，目的是为了滤掉X射线中的低能部分，防止总剂量效应对试验结果产生影响。

8.如权利要求5所述的用X射线进行单粒子软错误的试验方法，其特征在于，X射线辐射结束后，回读数据具体包括：X射线辐射结束后，将偏置电压调节至正常的电压状态，并对数据进行全部回读，与初始填入的数据进行对比，如若发生错误，记录错误的数据和出错的地址；然后再次填充数据，并对数据进行回读，确保在回读过程中，没有任何错误发生，SRAM试验器件可进行正常的数据读写，其目的是为了保证器件在辐照发生的翻转错误是由高能电子所造成的单粒子软错误，而非累计的总剂量效应造成的错误。