[发明专利]开关性能稳定的功率器件

说明书

本发明的公开了一种开关性能稳定的功率器件包括：第一导电型的衬底，其底端配置器件漏极，所述衬底上端配置有外延层；第二导电型的沟道、第二导电型的体区，体区内配置有器件源极和器件栅极；其中，所述沟道中存在第一独立沟道、第二独立沟道以及第三独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有第一金属‑氧化物半导体场效应管，所述第二独立沟道上部配置有第二金属‑氧化物半导体场效应管，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻和第二电阻，第一、第二金属‑氧化物半导体场效应管作为导流回路连接在功率器件中。本发明解决了功率器件开关性能不稳定的技术问题。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种开关性能稳定的功率器件。

背景技术

功率器件包括功率IC和功率分立器件，功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT等半导体器件，功率器件几乎用于所有的电子制造业，所应用的产品包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设；网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备；消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品；工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。除了保证这些设备的正常运行以外，功率器件还能起到有效的节能作用。由于电子产品的需求以及能效要求的不断提高，中国功率器件市场一直保持较快的发展速度。

功率半导体器件是电力电子电路的重要组成部分，一个理想的功率半导体器件应该具有好的静态和动态特性，在截止状态时能承受高电压且漏电流要小，在导通状态时，能流过大电流和很低的管压降，在开关转换时，具有短的开、关时间；通态损耗、断态损耗和开关损耗均要小。同时能承受高的di/dt和du/dt以及具有全控功能。

现有的功率器件具有极快的开关特性，实现更高的功率转换效率，但在功率器件断开和闭合过程中，栅极易产生震荡，导致功率器件开关状态瞬时不可控，功率器件容易误动作，降低了功率器件的开关稳定性。

发明内容

针对上述技术问题，本发明中提出了一种开关性能稳定的功率器件，在器件栅极设置有分流电路，当功率器件的栅电压震荡过大时，电压通过分流电路导流，避免栅电压震荡，解决了功率器件开关性能不稳定的技术问题。

为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种开关性能稳定的功率器件，包括：

第一导电型的衬底，其底端配置有MOS功率器件的器件漏极，所述衬底上端配置有第一导电型的外延层；

第二导电型的沟道，其间隔配置在所述外延层中；

第二导电型的体区，其配置在所述沟道和外延层上部，其中，所述体区至少覆盖在两个相邻所述沟道的上端形成相邻体区，所述体区内配置有第一导电型的器件源极，所述相邻体区之间的上端配置有器件栅极；

所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型，所述第一区为所述PN结的阳极，所述第二区为所述PN结的阴极；

所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型，所述第二区为所述PN结的阳极，所述第一区为所述PN结的阴极；