[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供引线框架和半导体芯片，

其中所述引线框架包括Cu，并且包括管芯焊盘、第一引线和第二引线，以及

其中所述半导体芯片具有场效应晶体管，并且包括主电极、控制电极和背电极；

(b)在步骤(a)之后，经由管芯结合材料将所述半导体芯片的所述背电极结合到所述引线框架的所述管芯焊盘；

(c)在步骤(b)之后，经由第一导电材料耦合所述主电极和所述第一引线，并经由第二导电材料耦合所述控制电极和所述第二引线；

(d)在步骤(c)之后，通过电镀方法在所述引线框架上形成Zn镀敷层；

(e)在步骤(d)之后，用密封树脂来密封所述半导体芯片、所述第一导电材料和所述第二导电材料，以使得所述管芯焊盘、所述第一引线和所述第二引线中的每一个的一部分从所述密封树脂暴露；

(f)在步骤(e)之后，移除形成在所述管芯焊盘、所述第一引线和所述第二引线中的每一个的所述一部分上的所述Zn镀敷层；

(g)在步骤(f)之后，在所述管芯焊盘、所述第一引线和所述第二引线中的每一个的所述一部分上形成不同于所述Zn镀敷层的镀敷层；以及

(h)在步骤(g)之后，切割所述引线框架。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述引线框架是镀Ni的Cu板。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中所述管芯结合材料是Ag烧结物膏剂。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第一导电材料是导线、带和引线之一，以及

其中所述第二导电材料是导线、带和引线之一。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第一导电材料包括Al、Cu和Au之一，以及

其中所述第二导电材料包括Al、Cu和Au之一。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第一导电材料是导线和带之一，

其中所述第二导电材料是导线和带之一，

其中所述主电极、所述控制电极、所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每一个包括Al，

其中在步骤(c)之后且在步骤(d)之前，对所述主电极、所述控制电极、所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每一个的表面进行Zn置换镀敷处理，以及

其中通过步骤(d)，在所述引线框架、所述主电极、所述控制电极、所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每一个上形成所述Zn镀敷层。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中在步骤(c)之后且在步骤(d)之前，对所述引线框架进行碱性电解质脱脂，

其中所述电镀方法的电流密度是3A/dm²，以及

其中所述电镀方法的镀敷时间是100秒或更长。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中，在步骤(d)之后且在步骤(e)之前，进行Zn扩散合金化处理，

其中在H₂气体气氛中进行所述Zn扩散合金化处理，

其中所述Zn扩散合金化处理的加热温度是从300℃至400℃。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中所述Zn扩散合金化处理的加热时间是2分钟。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中在步骤(c)之后且在步骤(d)之前，对所述引线框架进行碱性电解质脱脂，

其中所述电镀方法的电流密度是3A/dm²，以及

其中所述电镀方法的镀敷时间是100秒或更长。

11.根据权利要求10所述的方法，

其中，在步骤(d)之后且在步骤(e)之前，进行Zn扩散合金化处理，

其中在H₂气体气氛中进行所述Zn扩散合金化处理，

其中所述Zn扩散合金化处理的加热温度是从300℃至400℃。

12.根据权利要求11所述的方法，

其中所述Zn扩散合金化处理的加热时间是2分钟。

13.根据权利要求1所述的方法，

其中所述密封树脂包括含有填料的热固化环氧树脂。