[发明专利]一种制绒清洗机及水循环方法有效
申请号: | 201710512452.1 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN107195730B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 申澍昕;李泽天;刘跃进;陈莉 | 申请(专利权)人: | 太仓市哲泰天产品设计有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67;B08B3/02;B08B13/00 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 杨帆 |
地址: | 215400 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 水循环 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池片生产领域,特别涉及一种制绒清洗机及水循环方法。
背景技术
太阳能电池片的生产流程为一次清洗、扩散、刻蚀、二次清洗、PECVD、烧结、测试分选、检验入库,其中,一次清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各类污染物,并对硅片表面进行织构化处理,降低硅片表面对光的反射率,使入射光光反射到另一角度的斜面,形成二次或者多次吸收,从而增加吸收率。但清洗需要大量的水,并且需要对清洗后的水进行处理,达到标准后才能排放,企业一般采用将所有废水集中到一起后再对废水进行处理,这样处理起来耗时大,步骤繁琐,处理成本大,所以亟需一种节约用水的制绒清洗剂。
发明内容
针对以上现有技术存在的缺陷,本发明的主要目的在于克服现有技术的不足之处,公开了一种制绒清洗机,包括上料装置、下料装置、制绒槽、碱槽、酸槽、水槽和吹干槽,其中,所述制绒槽和所述碱槽之间设置所述水槽,所述碱槽和所述酸槽之间设置所述水槽,所述酸槽和所述吹干槽之间设置所述水槽,所述制绒槽的前端设置所述上料装置,所述吹干槽的后端设置所述下料装置;
所述水槽包括槽体、水刀、传送管组和接水盘,传送管组设置在槽体内,并在所述传送管组上方和下方设置所述水刀,所述水刀至少设置三组,在前端所述水刀下方设置有所述接水盘;
所述水刀包括水刀管和喷射喷嘴,所述喷射喷嘴设置在所述水刀管上。
进一步地,所述槽体的侧壁上设置溢水口。
进一步地,所述槽体上还开设有进水口,所述酸槽后端的所述水槽的所述溢水口通过水管与所述碱槽后端的所述水槽的所述进水口连接,所述碱槽后端的所述水槽的所述溢水口与所述制绒槽后端的所述水槽的所述进水口连接,所述制绒槽的所述溢水口与外部连接。
进一步地,在所述传送管组的进料端和出料端的上方分别设置所述上压轮。
进一步地,所述喷射喷嘴为圆锥形喷嘴、扇形喷嘴、棒形喷嘴中的任意一种。
进一步地,所述喷射喷嘴的口径为0.5-1.5mm。
进一步地,还包括过滤装置。
进一步地,所述喷射喷嘴处的水压为3-4Mpa。
根据以上所述的制绒清洗机的一种水循环方法:
1)清洗机的所述水槽的前端和中端所述水刀通过泵将所述槽体内的水供给,后端所述水刀通过外部供应干净水。
2)前端所述水刀对硅片进行清洗后的水直接通过所述接水盘排出单独收集,中端和后端所述水刀清洗后的水回到所述槽体内,后端所述水刀清洗后的水流到所述槽体内,所述槽体内多余的水通过所述溢水口排出。
进一步地,步骤2中,所述酸槽后端的所述水槽的所述溢水口通过水管将多余的液体传送到所述碱槽后端的所述水槽内,所述碱槽后端的所述水槽的所述溢水口通过水管将多余的液体传送到所述制绒槽后端的所述水槽内,所述制绒槽的所述溢水口再将其所述水槽内多余的水排出收集。
本发明取得的有益效果:
1,接水盘的设置将高浓度的清洗水直接排放收集,减少了对槽体内清洗水的污染,另外有干净清洗水的补充,配合溢水口的工作,使槽体内的水进行循环。
2.通过水槽内的水溢流至另一个水槽内,使其酸碱中和,减少槽体内清洗水的浓度。
3.本发明通过不同浓度单独收集和使用酸碱中和的方法减少清洗水的浓度,有效的节约了水资源,减少了生产成本。
附图说明
图1为本发明的一种制绒清洗机的主视图;
图2为本发明的水槽的正视图;
图3为本发明的水刀的正视图;
附图标记如下:
1、上料装置,2、下料装置,3、制绒槽,4、碱槽,5、酸槽,6、水槽,7、吹干槽,61、槽体,62、水刀,63、传送管组,64、接水盘,65、溢水口,66、进水口,67、上压轮,621、水刀管,622,、喷射喷嘴。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明的一种制绒清洗机,包括上料装置1、下料装置2、制绒槽3、碱槽4、酸槽5、水槽6和吹干槽7,其中,制绒槽3和碱槽4之间设置水槽6,碱槽4和酸槽5之间设置水槽6,酸槽5和吹干槽7之间设置水槽6,在制绒槽3的前端设置上料装置1,吹干槽7的后端设置下料装置2;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的