[发明专利]一种可调谐半导体激光器

权利要求书

1.一种可调谐半导体激光器，其特征在于，包括一有源区，所述有源区的两端分别连接耦合器的输入端，所述耦合器为双端输出，各耦合器的输出端分别连接光栅后形成四条光路；并且利用有源区同一端两光路对准的反射峰与不同端两光路对准的反射峰重合而削弱非对准的反射峰；在激光器两侧一次连接四个由增益有源区、相位调整区、相位调制区组成的第一光路，第二光路、第三光路、第四光路，其中第一光路和第二光路经第一耦合器耦合输出后形成第一耦合输出光路，第三光路和第四光路经第二耦合器耦合输出形成第二耦合输出光路，所述第一耦合输出光路和第二耦合输出光路依次分别经过有源区放大，相位区调整相位并进行调制后，利用第三耦合器相干耦合输出；在相位调制区上施加微波调制信号，对各路光进行相位调制，进而实现DQPSK的相位调制。

2.根据权利要求1所述的一种可调谐半导体激光器，其特征在于，所述有源区的增益峰值波长为1550nm，相位区的增益峰波长为1400nm。

3.根据权利要求1所述的一种可调谐半导体激光器，其特征在于，所述光栅的反射峰位置或强度受控于对光栅施加的电信号和/或热信号。

4.根据权利要求1所述的一种可调谐半导体激光器，其特征在于，所述有源区和/或相位区的材料为InGaAsP或者AlGaInAs量子阱材料。