[发明专利]环绕式沟槽接触部结构和制作方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

从半导体衬底突出的多个半导体鳍状物，所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物具有顶部和侧壁；

栅极电极，其位于所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述顶部的一部分之上并且与所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述侧壁的一部分相邻，所述栅极电极限定所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物中的沟道区，所述栅极电极限定所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物中的在所述栅极电极的第一侧的第一源极区/漏极区，并且所述栅极电极限定所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物中的在与所述栅极电极的所述第一侧相对的所述栅极电极的第二侧的第二源极区/漏极区；

半导体材料，其位于所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述第一源极区/漏极区和所述第二源极区/漏极区上；

导电金属氧化物材料，其位于所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述第一源极区/漏极区和所述第二源极区/漏极区上的所述半导体材料上并且与所述半导体材料直接接触，而在所述导电金属氧化物材料与所述半导体材料之间没有介入的硅化物材料；

第一导电结构，其位于所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述第一源极区/漏极区之上，所述第一导电结构直接位于所述导电金属氧化物材料的第一部分上；以及

第二导电结构，其位于所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述第二源极区/漏极区之上，所述第二导电结构直接位于所述导电金属氧化物材料的第二部分上。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述导电金属氧化物材料包括氧化钌。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构包括阻挡层和填充材料。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，所述阻挡层包括选自于由钛、氮化钛、钽、氮化钽、铪和镧构成的组中的材料。

5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述填充材料包括选自于由钨、铝和铜构成的组中的材料。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述半导体材料包括选自于由硅、锗和硅锗构成的组中的材料。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

栅极电介质层，其位于所述栅极电极与所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述顶部的所述部分和所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述侧壁的所述部分之间。

8.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中，所述栅极电介质层包括高k材料。

9.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述多个半导体鳍状物是多个硅鳍状物。

10.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述多个半导体鳍状物与所述半导体衬底连续。