[发明专利]有机光电子器件、图像传感器和电子设备

权利要求书

1.有机光电子器件，包括：

彼此面对的第一电极和第二电极；以及

在所述第一电极和所述第二电极之间的光吸收层，所述光吸收层包括，

包括p型光吸收材料和n型光吸收材料的光电转换区域，和

包括所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一种以及激子猝灭剂的掺杂区域，

其中所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一种选择性地吸收可见光的一部分。

2.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中

所述光电转换区域包括接近所述第一电极的第一光电转换区域和接近所述第二电极的第二光电转换区域，和

所述掺杂区域在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间。

3.如权利要求2所述的有机光电子器件，其中

所述第二电极比所述第一电极更接近光入射侧，和

所述第二光电转换区域的厚度与所述第一光电转换区域的厚度相同或大于所述第一光电转换区域的厚度。

4.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中所述激子猝灭剂包括金属、半金属、金属氧化物、半金属氧化物、有机材料、或其组合。

5.如权利要求4所述的有机光电子器件，其中所述激子猝灭剂包括能传输空穴的金属、能传输空穴的半金属、能传输空穴的金属氧化物、能传输空穴的半金属氧化物、能传输空穴的有机材料、或其组合。

6.如权利要求4所述的有机光电子器件，其中所述激子猝灭剂为铜、银、金、铝、钼氧化物、钨氧化物、钒氧化物、铼氧化物、镍氧化物、或其组合。

7.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中基于所述掺杂区域的总体积，以小于或等于50体积％的量包括所述激子猝灭剂。

8.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一种选择性地吸收如下的至少一种中的光：大于或等于400nm且小于500nm的波长区域、500nm-600nm的波长区域、和大于600nm且小于或等于700nm的波长区域。

9.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中

所述光吸收层吸收在彼此不同的波长区域中的第一可见光和第二可见光，

所述第一可见光的大部分被吸收在所述光电转换区域中，和

所述第二可见光的大部分被吸收在所述掺杂区域中。

10.如权利要求9所述的有机光电子器件，其中

所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料之一选择性地吸收所述第一可见光，和

所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的另一种吸收所述第一可见光和所述第二可见光。

11.如权利要求10所述的有机光电子器件，其中

所述第一可见光在500nm-600nm的波长区域中，和

所述第二可见光在大于或等于400nm且小于500nm的波长区域中。

12.如权利要求11所述的有机光电子器件，其中所述有机光电子器件对于所述第一可见光和所述第二可见光的外量子效率满足关系方程1：

[关系方程1]

EQE_最大/EQE_450nm≥3.80

其中，在关系方程1中，

EQE_最大为使用入射光子-电流转换效率(IPCE)方法测量的所述第一可见光在最大吸收波长处的外量子效率，和

EQE_450nm为使用入射光子-电流转换效率(IPCE)方法测量的在450nm处的外量子效率。

13.如权利要求10所述的有机光电子器件，其中

所述p型光吸收材料选择性地吸收所述第一可见光，和

所述n型光吸收材料吸收所述第一可见光和所述第二可见光。

14.如权利要求13所述的有机光电子器件，其中所述n型光吸收材料为富勒烯或富勒烯衍生物。

15.如权利要求13所述的有机光电子器件，其中所述p型光吸收材料为包括包含给电子部分、π共轭连接基团、和受电子部分的核心结构的有机材料。