[发明专利]一种蓝光LED芯片背镀DBR结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710515047.5 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216524A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 吴冬雪;王怀兵;王辉 | 申请（专利权）人： | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 膜系 膜系结构 规整 蓝光LED芯片 蒸镀 蓝光芯片 生产效率 中心波长 反射率 全波段 加宽 制备 制程 反射 背面 带宽 平衡 | ||
【权利要求书】：
1.一种蓝光LED芯片背镀DBR膜系结构，所述DBR膜系结构蒸镀于LED芯片背面，其特征在于：所述DBR膜系为20层，且所述DBR膜系为非规整型膜系，每层DBR膜系具有相应的中心波长。
2.如权利要求1所述的一种蓝光LED芯片背镀DBR膜系结构，其特征在于：所述DBR 膜系由SiO2和TiO2两种材料交替层叠形成。
3.如权利要求2所述的一种蓝光LED芯片背镀DBR膜系结构，其特征在于：所述DBR膜系厚度为1500nm-1700nm，且所述交替生长中每层材料的光学厚度为相应膜系层中心波长的四分之一。
4.如权利要求3中任意所述的一种蓝光LED芯片背镀DBR膜系结构，其特征在于：所述DBR膜系厚度为1600nm。
5.如权利要求1-4中任意所述的一种蓝光LED芯片背镀DBR膜系结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，
S1、准备衬底；
S2、在衬底上进行外延生长制备成芯片；
S3、将S2的芯片的衬底背面进行研磨；
S4、在研磨后的衬底背面进行SiO2和TiO2两种材料交替层叠蒸镀形成DBR膜系结构。
6.如权利要求4所述的一种蓝光LED芯片背镀DBR膜系结构的制备方法，其特征在于：所述DBR膜系蒸镀层数为20层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州新纳晶光电有限公司，未经苏州新纳晶光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710515047.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光单元及其制造方法
- 下一篇：发光模块及显示装置
