[发明专利]一种光电转换装置、方法及设备在审
申请号: | 201710516371.9 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN107346793A | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 张振华 | 申请(专利权)人: | 联想(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 张颖玲,李梅香 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 转换 装置 方法 设备 | ||
技术领域
本发明涉及电子技术,尤其涉及一种光电转换装置、方法及设备。
背景技术
光电转换是通过光伏效应把太阳辐射能直接转换成电能的过程。这一过程的原理是光子将能量传递给电子使其运动从而形成电流,统计储能装置存储,用于在各种场合中输出电能,如手机、飞行器、电动车等电子设备,可以作为电子设备中主要或者辅助的电能来源。
光电转换的核心技术是对光照的充分利用,避免光线的反射,相关技术提供的光电转换,不可避免地存在因光线反射影响光电转换效率的问题。
发明内容
为解决现有存在的技术问题,本发明实施例提供了一种光电转换装置,能至少解决现有技术中存在的上述问题。
本发明实施例的技术方案是这样实现的:
本发明实施例提供一种光电转换装置,包括:
光束收集组件,用于接收波长在预定范围内的、以任意角度入射的第一投射光束,并输出到光束反射组件;
所述光束反射组件,用于对所述第一投射光束在所述光束反射组件内部进行全反射,形成第一出射光束,输出到光束接收组件;
所述光束接收组件,用于接收所述第一出射光束,并将所述第一出射光束的光能转换为电能。
上述方案中,所述光束收集组件,以多层覆盖的方式设置多种类型的光学薄膜,用于控制所述光束收集组件输出每种所述类型光学薄膜各自对应的波长范围的第一投射子光束,所述第一投射子光束为所述第一投射光束的子光束。
上述方案中,所述光束反射组件,包括:
包层,用于接收以第一角度入射的第一投射光束,并以第二角度输出到芯层;
所述芯层,折射率大于所述包层的折射率,用于接收以所述第二角度输入的所述第一投射光束,并对所述第一投射光束进行作用,形成所述第一出射光束。
上述方案中,所述芯层包括:
第一平面和第二平面,用于使所述第一投射光束在所述第一平面和所述第二平面构成的空间内进行多次全反射后,形成所述第一出射光束,输出到所述光束接收组件。
上述方案中,所述光束接收组件,包括:
第一光束接收子组件,连接所述光束反射组件,用于接收以第一方向出射的所述第一出射光束;
第二光束接收子组件,连接所述光束反射组件,用于接收以第二方向出射的所述第一出射光束。
上述方案中,所述光电转换装置设置在电子设备内,将所述第一出射光束的光能转换为的电能为所述电子设备供电。
本发明实施例还提供一种光电转换方法,包括:
光束收集组件接收波长在预定范围内的、以任意角度入射的第一投射光束;
所述第一投射光束输出到光束反射组件后,在所述光束反射组件内部进行全反射,形成第一出射光束,输出到光束接收组件;
所述第一出射光束经所述光束接收组件作用,将所述第一出射光束的光能转换为电能。
上述方案中,所述光束收集组件,以多层覆盖的方式设置多种类型的光学薄膜,所述光束收集组件接收波长在预定范围内的、以任意角度入射的第一投射光束,包括:
控制所述光束收集组件输出每种所述类型光学薄膜各自对应的波长范围的第一投射子光束,所述第一投射子光束为所述第一投射光束的子光束。
上述方案中,所述光束反射组件包括包层和芯层,其中所述芯层的折射率大于所述包层的折射率;
所述第一投射光束输出到光束反射组件后,在所述光束反射组件内部进行全反射,包括:
以第一角度入射的第一投射光束入射到所述包层后,以第二角度输出到所述芯层;所述第一投射光束经所述芯层作用,形成所述第一出射光束。
上述方案中,所述芯层包括第一平面和第二平面;
所述第一投射光束经所述芯层作用,形成所述第一出射光束,包括:
所述第一投射光束在所述第一平面和所述第二平面构成的空间内进行多次全反射后,形成所述第一出射光束,输出到所述光束接收组件。
上述方案中,所述光接收组件包括连接所述光束反射组件的第一光束接收子组件和第二光束接收子组件;
所述第一出射光束输出到光束接收组件,包括:
以第一方向出射的所述第一出射光束输出到所述第一光束接收子组件,以第二方向出射的所述第二出射光束输出到所述第二光束接收子组件。
上述方案中,所述光束接收组件设置在电子设备内,将所述第一出射光束的光能转换为的电能为所述电子设备供电。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联想(北京)有限公司,未经联想(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710516371.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种物料混合器
- 下一篇:PIN光电二极管的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的