[发明专利]集成离子注入工艺的红外传感器的制备方法

权利要求书

1.一种红外传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤01：在一互连层上形成非晶硅层；

步骤02：在非晶硅层中刻蚀出支撑孔；

步骤03：对支撑孔之外的非晶硅层表面进行第一次离子注入，形成顶部释放保护层；其中，顶部释放保护层表面保留有一层非晶硅层；

步骤04：对支撑孔侧壁进行第二次离子注入，形成侧壁释放保护层；其中，侧壁释放保护层表面保留有一层非晶硅层；

步骤05：在顶部释放保护层和侧壁释放保护层表面进行第三次离子注入，形成敏感材料层；其中，第三次离子注入到顶部释放保护层表面所保留的非晶硅层中以及注入到侧壁释放保护层表面所保留的非晶硅层中，从而使顶部释放保护层表面所保留的非晶硅层以及侧壁释放保护层表面所保留的非晶硅层形成敏感材料层；

步骤06：在敏感材料层表面以及支撑孔底部暴露的互连层表面形成电极层，并图案化电极层，形成电极层图案。

2.根据权利要求1所述的红外传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，第一次离子注入采用氧离子注入，形成顶部二氧化硅释放保护层。

3.根据权利要求2所述的红外传感器的制备方法，其特征在于，第一次离子注入采用垂直于非晶硅层表面的注入角度。

4.根据权利要求1所述的红外传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤04中，第二次离子注入采用氧离子注入，形成侧壁二氧化硅释放保护层。

5.根据权利要求4所述的红外传感器的制备方法，其特征在于，第二次离子注入采用倾斜离子注入。

6.根据权利要求5所述的红外传感器的制备方法，其特征在于，第二次离子注入角度为30～60°。

7.根据权利要求1所述的红外传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤05中，第三次离子注入采用P型掺杂离子。

8.根据权利要求1所述的红外传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤04之后且在所述步骤05之前，还包括：对顶部释放保护层和侧壁释放保护层进行退火。