[发明专利]高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法有效
| 申请号： | 201710516872.7 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107384404B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张辉朝;逯鑫淼;赵巨峰;辛青 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 半导体 纳米 晶体 制备 方法 | ||
1.一种高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤a：制备出油酸镉(Cd(OA)2)、油酸锌(Zn(OA)2)和硒/三丁基膦(Se/TBP)前驱溶液；
步骤b：将制备好的Cd(OA)2、Zn(OA)2前驱溶液以及十八烯(ODE)混合，在氩气环境下升温至97-103℃，并在此温度下搅拌20-25min；
步骤c：继续升温至297-303℃，停留30-60s；
步骤d：加入步骤a中制备的Se/TBP前驱溶液，反应5-8min，后降温至室温，得到CdZnSe纳米晶体；
步骤b中所述Cd(OA)2前驱溶液、Zn(OA)2前驱溶液和ODE的用量分别为0.008-0.012mmol、0.36-0.44mmol和29.7-32.8mmol；
步骤d中所加入的所述Se/TBP前驱溶液的用量为0.476-0.484mmol；
所述Cd(OA)2前驱溶液的制备步骤为：将CdO、油酸和ODE置于三口烧瓶中，氩气气氛下将三者的混合物加热到240-280℃保持，直到溶液澄清后降至室温，其中，所述CdO与油酸的摩尔比为1:8；
所述Zn(OA)2前驱溶液的制备步骤为：将ZnO、油酸和ODE置于三口烧瓶中，氩气气氛下将三者的混合物加热到280-320℃保持，直到溶液澄清后降至室温，其中，所述ZnO与油酸的摩尔比为1:8；
所述Se/TBP前驱溶液的制备：将Se粉置于TBP溶液中，在氩气环境下超声处理，直至获得澄清溶液，其中Se粉与TBP溶液的摩尔比为1:1.68；
步骤a中所制备出的所述Cd(OA)2前驱溶液的浓度为0.08-0.12mol/L，所述Zn(OA)2前驱溶液的浓度为0.18-0.22mol/L，所述Se/TBP前驱溶液的浓度为2.38-2.42mol/L。
2.根据权利要求1所述的高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法，其特征在于，制备所述Cd(OA)2前驱溶液时CdO、油酸和ODE的摩尔比为1:8:23.36，制备所述Zn(OA)2前驱溶液时ZnO、油酸和ODE摩尔比为1:8:7.68。
3.根据权利要求1所述的高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法，其特征在于，所述Cd(OA)2、Zn(OA)2、Se/TBP前驱溶液和ODE溶液在制备过程中的用量同时成倍放大。
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