[发明专利]具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤:

(1)在硫系光学元件基层表面镀无机膜层；所述的无机膜层的材料为SiO₂、Al₂O₃或HfO₂；所述的无机膜层的材料为SiO₂时，无机膜层的厚度为5-30nm；所述的无机膜层的材料为Al₂O₃时，无机膜层的厚度为10-25nm；所述的无机膜层的材料为HfO₂时，无机膜层的厚度为10-30nm；

(2)在所述的无机膜层表面喷涂有机涂层；

(3)将石墨烯透红外电磁屏蔽膜转移至所述的有机涂层的表面，得到具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件。

2.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件的制备方法，其特征在于，所述的无机膜层的镀膜方式为电子束蒸发或射频磁控溅射法；所述的无机膜层的镀膜步骤包括：镀膜时本底真空度小于8×10^-4Pa，镀膜前打开烘烤灯将硫系玻璃镀件基层表面加热至50-100℃并保温20-30min，打开离子源用Ar⁺离子对硫系光学元件表面清洗，打开电子枪在硫系玻璃镀件基层表面对无机膜层的材料进行蒸镀；所述的有机涂层的喷涂步骤包括：将有机涂层的材料与固化剂混合，搅拌，真空排泡，然后喷涂于无机膜层表面上，其中有机涂层的材料与固化剂的体积比为25-35：1。

3.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件的制备方法，其特征在于，步骤(3)中利用湿法刻蚀工艺将石墨烯透红外电磁屏蔽膜转移至所述的有机涂层的表面。

4.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件的制备方法，其特征在于，所述的有机涂层的材料为聚酰亚胺树脂或有机硅树脂；所述的石墨烯透红外电磁屏蔽膜为制备在铜箔上的低缺陷石墨烯薄膜。

5.根据权利要求4所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件的制备方法，其特征在于，所述的有机涂层为聚酰亚胺树脂时，有机涂层的厚度为6-12μm；所述的有机涂层为有机硅树脂时，有机涂层的厚度为8-12μm。

6.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件的制备方法，其特征在于，转移的所述石墨烯透红外电磁屏蔽膜的层数为3-10层。

7.一种具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于：其包括：

硫系光学元件基层；

无机膜层，附着在所述的基层上；所述的无机膜层的材料为SiO₂、Al₂O₃或HfO₂；所述的无机膜层的材料为SiO₂时，无机膜层的厚度为5-30nm；所述的无机膜层的材料为Al₂O₃时，无机膜层的厚度为10-25nm；所述的无机膜层的材料为HfO₂时，无机膜层的厚度为10-30nm；

有机涂层，附着在所述的无机膜层上；

石墨烯透红外电磁屏蔽膜，附着在所述的有机涂层。

8.根据权利要求7所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的有机涂层的材料为聚酰亚胺树脂或有机硅树脂；所述的石墨烯透红外电磁屏蔽膜为制备在铜箔上的低缺陷石墨烯薄膜。

9.根据权利要求8所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的有机涂层为聚酰亚胺树脂时，有机涂层的厚度为6-12μm；所述的有机涂层为有机硅树脂时，有机涂层的厚度为8-12μm。

10.根据权利要求7所述的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件，其特征在于，所述的石墨烯透红外电磁屏蔽膜的层数为3-10层。