[发明专利]可挠式面板以及可挠式面板的制造方法

权利要求书

1.一种可挠式面板，其特征在于，包括：

一可挠式薄膜基板；

一缓冲层，设置在所述可挠式薄膜基板上，所述缓冲层包括一第一子缓冲层与一第二子缓冲层，所述第二子缓冲层位于所述可挠式薄膜基板与所述第一子缓冲层之间，且所述第二子缓冲层的折射率大于所述第一子缓冲层的折射率，其中所述第一子缓冲层为氧化硅，且所述第二子缓冲层的折射率范围为2.05至2.45；以及

一元件层，设置在所述缓冲层上；

其中所述第二子缓冲层的折射率、所述第一子缓冲层的厚度与所述第二子缓冲层的厚度满足下列条件(a)至(j)的其中一者，且根据CIE L*a*b*颜色模型，所述可挠式面板的b*小于或等于1.5：

(a)所述第二子缓冲层的折射率大于或等于2.05且小于或等于2.25，0奈米所述第二子缓冲层的厚度≤5奈米，且0奈米所述第一子缓冲层的厚度≤10奈米或是70奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；

(b)所述第二子缓冲层的折射率大于或等于2.05且小于或等于2.25，5奈米所述第二子缓冲层的厚度40奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件(b_1)至(b_3)的其中一者：

(b_1)当5奈米所述第二子缓冲层的厚度≤10奈米时，85奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；

(b_2)当10奈米所述第二子缓冲层的厚度30奈米时，90奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；以及

(b_3)当30奈米≤所述第二子缓冲层的厚度40奈米时，85奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；

(c)所述第二子缓冲层的折射率大于或等于2.05且小于或等于2.25，40奈米≤所述第二子缓冲层的厚度65奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件：当(40+5Z)奈米≤所述第二子缓冲层的厚度(40+5(Z+1))奈米时，(U-5Z)奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米，其中Z为0至4的整数，并且U等于80；

(d)所述第二子缓冲层的折射率大于或等于2.05且小于或等于2.25，65奈米≤所述第二子缓冲层的厚度95奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件：当(65+5Z)奈米≤所述第二子缓冲层的厚度(65+5(Z+1))奈米时，(U-10Z)奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米，其中Z为0至5的整数，并且当Z为0时，U等于50；当Z的范围为1至5时，U等于55；

(e)所述第二子缓冲层的折射率大于或等于2.05且小于或等于2.25，95奈米≤所述第二子缓冲层的厚度≤100奈米，且0奈米所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；

(f)所述第二子缓冲层的折射率大于2.25且小于或等于2.45，0奈米所述第二子缓冲层的厚度≤5奈米，且0奈米所述第一子缓冲层的厚度≤5奈米或是75奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米；

(g)所述第二子缓冲层的折射率大于2.25且小于或等于2.45，5奈米所述第二子缓冲层的厚度25奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件(g_1)与(g_2)的其中一者：

(g_1)当5奈米所述第二子缓冲层的厚度≤10奈米时，90奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；以及

(g_2)当10奈米所述第二子缓冲层的厚度25奈米时，95奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；

(h)所述第二子缓冲层的折射率大于2.25且小于或等于2.45，25奈米≤所述第二子缓冲层的厚度55奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件：当(25+5Z)奈米≤所述第二子缓冲层的厚度(25+5(Z+1))奈米时，U奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米，其中Z为0至5的整数，并且当Z为0时，U等于90；当Z为1或2时，U等于85；当Z为3时，U等于80；当Z为4时，U等于75；当Z为5时，U等于65；

(i)所述第二子缓冲层的折射率大于2.25且小于或等于2.45，55奈米≤所述第二子缓冲层的厚度75奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件：当(55+5Z)奈米≤所述第二子缓冲层的厚度(55+5(Z+1))奈米时，(U-10Z)奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米，其中Z为0至3的整数，并且U等于60；以及

(j)所述第二子缓冲层的折射率大于2.25且小于或等于2.45，75奈米≤所述第二子缓冲层的厚度≤100奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件(j_1)至(j_3)的其中一者：

(j_1)当75奈米≤所述第二子缓冲层的厚度80奈米时，15奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；

(j_2)当80奈米≤所述第二子缓冲层的厚度≤95奈米时，0奈米所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；以及

(j_3)当95奈米第二子缓冲层144的厚度≤100奈米时，0奈米第一子缓冲层142的厚度≤95奈米。