[发明专利]重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法

权利要求书

1.一种重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）、在石英管管式炉中，将S粉放在第一陶瓷舟中，置于载气气流下游；MoO₃粉末放在第二陶瓷舟中，置于载气气流上游；蓝宝石衬底置于石英管管式炉温区中；第一陶瓷舟位于蓝宝石衬底的下游，第二陶瓷舟位于蓝宝石衬底的上游；其中，S粉、MoO₃粉末、蓝宝石衬底到管式炉中心的距离分别为17cm、11cm、6.5~7cm；

（2）、将石英管内的空气抽除，然后充入载气，直到石英管内的压强恢复到大气压，重复两次；

（3）、调节载气流量大小为50sccm，加热管式炉，使S蒸汽与MoO₃蒸汽在高温下反应，在衬底上沉积单层MoS₂薄膜。

2.根据权利要求1所述的重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：步骤（1）中，S粉与MoO₃粉末的质量比为100:3。

3.根据权利要求2所述的重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：步骤（3）中，S蒸汽与MoO₃蒸汽的反应在820℃的温度下进行。

4.根据权利要求3所述的重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：步骤（3）中，管式炉的升温速率为20℃/min。

5.根据权利要求4所述的重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：步骤（3）中，S蒸汽与MoO₃蒸汽的反应持续时间为20min。

6.根据权利要求1所述的重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：步骤（2）中，载气为氮气、氦气或者氩气。