[发明专利]阵列基板和包括该阵列基板的显示面板有效
申请号: | 201710519910.4 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN107564936B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 林炫秀;李康柱;金秀刚;具沅会;张志向;崔民根 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;李德山 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 包括 显示 面板 | ||
1.一种用于显示装置的阵列基板,包括:
基板,所述基板包括多个子像素,所述多个子像素中的至少一个子像素是白色子像素;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述基板上,并且设置在所述多个子像素中的每个子像素中;以及
多个滤色器层,所述多个滤色器层设置在所述绝缘层上,所述多个滤色器层中的每个滤色器层分别设置在所述多个子像素中的相应子像素中,
其中,所述多个滤色器层中的至少两个滤色器层具有相同的颜色并且分别设置在所述白色子像素以及与所述白色子像素邻近的子像素中的至少一个子像素中,并且所述绝缘层在所述白色子像素和与所述白色子像素邻近的子像素中的所述至少一个子像素之间的边界处具有斜坡,
其中,所述白色子像素中的滤色器层具有单层,其厚度小于与所述白色子像素邻近的子像素中的所述至少一个子像素中的滤色器层的厚度,以及
其中,在与所述白色子像素邻近的子像素中的所述至少一个子像素中的滤色器层下面的绝缘层的厚度小于在所述白色子像素中的滤色器层下面的绝缘层的厚度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述白色子像素中的滤色器层的底表面与所述基板的顶表面之间的距离大于与所述白色子像素邻近的子像素中的所述至少一个子像素中的滤色器层的底表面和所述基板的顶表面之间的距离。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,设置在与所述白色子像素邻近的子像素中的所述至少一个子像素中的滤色器层的厚度为0.5μm至3μm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,设置在与所述白色子像素邻近的子像素中的所述至少一个子像素中的滤色器层在靠近所述边界的至少一个部分中具有阶梯部。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述绝缘层包括缓冲区、栅极电介质和层间电介质中至少之一。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其中,所述绝缘层在所述白色子像素中包括所述缓冲区、所述栅极电介质和所述层间电介质。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其中,所述绝缘层在与所述白色子像素邻近的子像素中的所述至少一个子像素中仅包括所述缓冲区、所述栅极电介质和所述层间电介质中的一个或两个。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述多个滤色器层中的所述至少两个滤色器层由流体有机材料制成。
9.一种显示面板,包括:
基板,所述基板包括多个子像素,所述多个子像素至少包括彼此邻近并且被配置成提供彼此不同颜色的光的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述基板上,并且设置在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素中的每个子像素中;以及
第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层和第四滤色器层,所述第一滤色器层、所述第二滤色器层、所述第三滤色器层和所述第四滤色器层设置在所述绝缘层上,并且分别设置在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素中,所述第二滤色器层和所述第三滤色器层具有相同的颜色;
其中,所述绝缘层在所述第二子像素与所述第三子像素之间的边界处具有斜坡,
其中,所述第二滤色器层具有单层,其厚度小于所述第三滤色器层的厚度,
其中,在所述第三滤色器层下面的绝缘层的厚度小于在所述第二滤色器层下面的绝缘层的厚度,以及
其中,所述第二子像素是白色子像素。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述绝缘层在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第四子像素中包括缓冲区、栅极电介质和层间电介质,而在所述第三子像素中仅包括所述缓冲区、所述栅极电介质和所述层间电介质中的一个或两个。
11.根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述第三滤色器层在靠近所述边界的至少一个部分中具有阶梯部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的