[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710520203.7 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107293618A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/22;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述缓冲层包括至少一个具有粗化结构的子层，所述子层包括依次层叠的铝层、氮化铝层和铝镓氮层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述子层的数量为2个～10个，各个所述子层依次层叠在所述衬底上。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述铝层的厚度为5nm～30nm。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述氮化铝层的厚度为5nm～30nm。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述铝镓氮层的厚度为5nm～30nm。
6.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次形成缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述缓冲层包括至少一个具有粗化结构的子层，所述子层包括依次层叠的铝层、氮化铝层和铝镓氮层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述子层的形成过程包括：
在纯氢气气氛下通入三甲基铝，三甲基铝高温裂解后在衬底上形成具有粗化结构的铝层；
停止通入三甲基铝，对所述铝层进行高温处理；
通入氨气对所述铝层的表面进行氮化，形成具有粗化结构的氮化铝层；
停止通入氨气，对所述氮化铝层进行高温处理；
通入三甲基铝、氮气和三甲基镓，在所述氮化铝层上沉积铝镓氮材料，形成具有粗化结构的铝镓氮层。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述子层的形成过程包括：
在纯氢气气氛下通入三甲基铝，三甲基铝高温裂解后在衬底上形成具有粗化结构的铝层；
停止通入三甲基铝，对所述铝层进行高温处理；
通入三甲基铝和氨气，在所述铝层上沉积氮化铝材料，形成具有粗化结构的氮化铝层；
停止通入氨气，对所述氮化铝层进行高温处理；
通入三甲基铝、氮气和三甲基镓，在所述氮化铝层上沉积铝镓氮材料，形成具有粗化结构的铝镓氮层。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述子层的生长温度为600℃～1000℃。
10.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述子层的生长压力为300mbar～500mbar。
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