[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201710520222.X | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107359229A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 胡任浩;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述P型氮化镓层上的N型接触层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N型接触层为N型掺杂的氮化镓层。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N型接触层的厚度为2nm～20nm。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N型接触层中N型掺杂剂的掺杂浓度为1×1019cm-3～9×1019cm-3。
5.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次形成缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层和N型接触层。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述N型接触层的生长温度为700℃～800℃。
7.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述N型接触层的生长压力为100torr～300torr。
8.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述N型接触层为N型掺杂的氮化镓层。
9.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述N型接触层的厚度为2nm～20nm。
10.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述N型接触层中N型掺杂剂的掺杂浓度为1×1019cm-3～9×1019cm-3。
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