[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710520231.9 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107293619B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述多量子阱层包括多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子阱层和所述多个量子垒层交替层叠，其特征在于，所述量子垒层包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，所述(n+1)个第一子层和所述n个第二子层交替层叠设置，所述第一子层为没有掺杂的氮化镓层，所述第二子层为掺杂硅的氮化镓层；最靠近所述N型氮化镓层的第一子层的厚度、以及最靠近所述电子阻挡层的第一子层的厚度均大于其它的第一子层中每个第一子层的厚度，所述其它的第一子层为所述(n+1)个第一子层中除最靠近所述N型氮化镓层的第一子层和最靠近所述电子阻挡层的第一子层的厚度之外的第一子层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，各个所述第二子层中硅的掺杂浓度相同，或者所述n个第二子层中硅的掺杂浓度沿所述多量子阱层的层叠方向逐层升高。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，各个所述第二子层的厚度相同。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，各个所述第一子层的厚度小于每个所述第二子层的厚度。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，最靠近所述N型氮化镓层的第一子层的厚度与最靠近所述电子阻挡层的第一子层的厚度相同。
6.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，n≤7。
7.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层；
其中，所述多量子阱层包括多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子阱层和所述多个量子垒层交替层叠，所述量子垒层包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，所述(n+1)个第一子层和所述n个第二子层交替层叠设置，所述第一子层为没有掺杂的氮化镓层，所述第二子层为掺杂硅的氮化镓层；最靠近所述N型氮化镓层的第一子层的厚度、以及最靠近所述电子阻挡层的第一子层的厚度均大于其它的第一子层中每个第一子层的厚度，所述其它的第一子层为所述(n+1)个第一子层中除最靠近所述N型氮化镓层的第一子层和最靠近所述电子阻挡层的第一子层的厚度之外的第一子层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述量子垒层的生长温度为860℃～890℃。
9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述多量子阱层的生长压力为200torr。
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