[发明专利]一种基于TSV技术的埋置型三维集成封装结构

权利要求书

1.一种制作基于TSV技术的埋置型三维集成封装结构的方法，其特征在于，包括：

根据摩尔芯片尺寸大小、电互连设计要求，设计制作TSV转接板圆片；

在所述TSV转接板圆片上下两面制作若干凹槽，所述凹槽尺寸、厚度与所述摩尔芯片尺寸、厚度相当；

将所述摩尔芯片埋置在所述凹槽内，摩尔芯片的焊盘面朝外，在所述圆片上制作一层介质层，露出摩尔芯片的焊盘和TSV焊盘；

通过再布线工艺，在所述介质层上制作连接所述摩尔芯片焊盘和TSV焊盘的金属再布线，根据互连关系，实现摩尔芯片与TSV转接板的互连；

在所述金属再布线上制作一层钝化层，露出TSV焊盘位置，形成钝化层开口；

在钝化层开口制作微凸点，并对埋置摩尔芯片的TSV转接版圆片进行切割,形成单颗的基于TSV技术的埋置型二维集成封装结构；

所述二维集成封装结构通过TSV转接板微凸点实现多颗二维集成封装结构Z向堆叠集成。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三维封装结构不仅支持单一功能，还支持多功能，系统级三维集成。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三维封装结构互连方式，包括：通过单颗二维集成封装结构堆叠集成，或，通过二维集成封装结构圆片堆叠集成。

4.一种基于TSV技术的埋置型三维集成封装结构，其特征在于：

所述三维集成封装结构由若干个二维结构通过TSV转接板微凸点互连；

所述二维封装结构由摩尔芯片、TSV转接板、再布线层、微凸点构成；

所述摩尔芯片埋置在TSV转接板上下两面，在所得结构上下两面设有金属再布线层，并且通过再布线层以及TSV转接板通孔金属材料实现摩尔芯片的信号互连。

5.如权利要求4所述的埋置型三维集成封装结构，其特征在于，所述埋置的摩尔芯片实现单一功能、多功能，或系统级三维集成。

6.如权利要求5所述的埋置型三维集成封装结构，其特征在于，所述三维封装结构互连方式，包括：通过单颗二维集成封装结构堆叠集成，或，通过二维集成封装结构圆片堆叠集成。