[发明专利]一种基于高导热相变材料相变散热技术的封装结构的制备方法在审
| 申请号： | 201710520800.X | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107195603A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 明雪飞;朱家昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/427 | 分类号： | H01L23/427;H01L21/48 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 导热 相变 材料 散热 技术 封装 结构 制备 方法 | ||
1.一种基于高导热相变材料相变散热技术的封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
采用标准刻蚀工艺在晶圆级芯片背面制作凹槽或盲孔；
在晶圆级芯片背面凹槽或盲孔内放入作为传热媒介的高导热相变材料；
晶圆级芯片背面焊接上盖板进行封帽, 保证高导热相变材料在相态转变过程中不溢出封装体结构；
通过常规划片工艺得到具有相变散热结构的单芯片。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽或盲孔的尺寸大小根据具体的产品而定，刻蚀深度应不超过芯片本体厚度。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，放入凹槽或盲孔内的相变材料的量视凹槽或盲孔尺寸而定。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，盖板与芯片的接合方式视盖板材料而定。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，盖板与芯片的接合方式为硅硅直接键合，或，合金共熔接合方式。
6.一种晶圆级封装芯片的散热结构，所述散热结构，包括：晶圆级封装芯片3、导热盖板1，芯片3与盖板1通过焊料2焊接在一起；其特征在于：散热结构还包括晶圆级封装芯片3背面刻蚀的凹槽或盲孔，凹槽或盲孔内装有的高导热相变材料4；整个散热结构制作工艺都在晶圆上完成。
7.如权利要求6所述的散热结构，其特征在于，所述凹槽或盲孔的尺寸大小根据具体的产品而定，刻蚀深度应不超过芯片本体厚度。
8.如权利要求6所述的散热结构，其特征在于，盖板与芯片的接合方式视盖板材料而定。
9.如权利要求6所述的散热结构，其特征在于，盖板与芯片的接合方式为硅硅直接键合，或，合金共熔接合方式。
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