[发明专利]用于单极化或双极化的薄膜全内反射衍射光栅

权利要求书

1.一种衍射光栅，包括：

基板；

蚀刻停止层，阻止蚀刻所述基板，

所述蚀刻停止层在所述基板上；

标记层，包括指示与电介质层的蚀刻相关联的蚀刻终点的可蚀刻材料，

所述标记层在所述蚀刻停止层的一部分上；以及

所述电介质层，在被蚀刻后形成周期的光栅层，

所述电介质层至少在所述标记层上。

2.如权利要求1所述的衍射光栅，还包括：

封装层，在蚀刻所述电介质层后保护所述周期的光栅层，

所述封装层至少在所述周期的光栅层上。

3.如权利要求1所述的衍射光栅，其中，所述标记层由氧化钽、二氧化硅或氮化硅形成。

4.如权利要求1所述的衍射光栅，其中，所述标记层的厚度小于或等于约50纳米。

5.如权利要求1所述的衍射光栅，其中，所述衍射光栅的第一衍射效率大于96％，且所述衍射光栅的第二衍射效率小于约2％，

所述第一衍射效率对应于横向磁极化，并且

所述第二衍射效率对应于横向电极化。

6.如权利要求1所述的衍射光栅，其中，所述衍射光栅的第一衍射效率和所述衍射光栅的第二衍射效率大于94％，

所述第一衍射效率对应于横向磁极化，并且

所述第二衍射效率对应于横向电极化。

7.如权利要求1所述的衍射光栅，其中，所述电介质层包括硅或氧化钽。

8.一种衍射光栅，基于全内反射操作，其包括：

基板；

蚀刻停止层，以阻止蚀刻所述基板，

所述蚀刻停止层在所述基板上；

标记层，标示与电介质光栅层的蚀刻相关联的蚀刻终点，

所述标记层在所述蚀刻停止层上，

所述电介质光栅层，在所述标记层上，

所述电介质光栅层是周期的光栅；以及

封装层，保护所述电介质光栅层，

所述封装层至少在所述电介质光栅层上，

所述封装层包括跨所述电介质光栅层的宽度的平坦表面，并且

衍射光栅的全内反射表面位于封装层的平坦表面。

9.如权利要求8所述的衍射光栅，其中，所述封装层包括二氧化硅。

10.如权利要求8所述的衍射光栅，其中，所述封装层的厚度比所述电介质光栅层的厚度厚约0.15微米至0.28微米。

11.如权利要求8所述的衍射光栅，其中，所述衍射光栅的第一衍射效率和所述衍射光栅的第二衍射效率大于94％，

所述第一衍射效率对应于横向磁极化，并且

所述第二衍射效率对应于横向电极化。

12.如权利要求8所述的衍射光栅，其中，所述衍射光栅的第一衍射效率大于96％，且所述衍射光栅的第二衍射效率小于约2％，

所述第一衍射效率对应于横向磁极化，并且

所述第二衍射效率对应于横向电极化。

13.如权利要求8所述的衍射光栅，其中，所述衍射光栅包括在棱栅组件中。

14.一种制造衍射光栅的方法，所述方法包括：

在基板上沉积蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层的一部分上沉积标记层；

在所述标记层上沉积电介质层；以及

蚀刻所述电介质层以形成光栅层，

在蚀刻所述电介质层期间，

通过所述蚀刻停止层阻止蚀刻所述基板；以及

基于蚀刻所述标记层，确定要停止蚀刻所述电介质层；

蚀刻所述标记层以指示与所述电介质层的蚀刻相关联的蚀刻终点。