[发明专利]离子源有效
申请号: | 201710521360.X | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN107833818B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 甲斐裕章;西村一平 | 申请(专利权)人: | 日新离子机器株式会社 |
主分类号: | H01J27/14 | 分类号: | H01J27/14 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 高培培;戚传江 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 离子源 | ||
1.一种离子源,在等离子体生成室的周围配置有永磁铁,其特征在于,具备:
阴极,从在所述等离子体生成室的壁面形成的贯通孔插通于所述等离子体生成室内,并向所述等离子体生成室内放出电子;
支承基体,设置于所述等离子体生成室的外部而支承所述阴极;
驱动机构,使所述支承基体向从所述等离子体生成室的外壁面拉开的方向移动;以及
伸缩部件,介于所述支承基体与所述等离子体生成室的外壁面之间并覆盖所述贯通孔的周围,将所述支承基体与所述等离子体生成室的外壁面之间的空间保持为气密,
通过将所述驱动机构的驱动力中断,或者使所述驱动力小于利用所述等离子体生成室的真空排气而产生的吸引力,从而被所述驱动机构的驱动力从所述等离子体生成室的外壁面拉开的处于后退位置的所述支承基体由于所述吸引力而从所述后退位置朝向所述等离子体生成室的外壁面移动,而被保持在前进位置。
2.一种离子源,在等离子体生成室的周围配置有永磁铁,其特征在于,具备:
阴极,从在所述等离子体生成室的壁面形成的贯通孔插通于所述等离子体生成室内,并向所述等离子体生成室内放出电子;
支承基体,设置于所述等离子体生成室的外部而支承所述阴极;
驱动机构,使所述支承基体向从所述等离子体生成室的外壁面拉开的方向移动;以及
伸缩部件,介于所述支承基体与所述等离子体生成室的外壁面之间并覆盖所述贯通孔的周围,将所述支承基体与所述等离子体生成室的外壁面之间的空间保持为气密,
被所述驱动机构的驱动力从所述等离子体生成室的外壁面拉开的处于后退位置的所述支承基体被吸引力向相比所述后退位置靠所述等离子体生成室的外壁面处拉近而被保持在前进位置,所述吸引力利用所述等离子体生成室的真空排气而产生,
所述后退位置及所述前进位置分别是基于从所述等离子体生成室的内壁面至所述阴极的末端部为止的突出量而确定的位置,
针对所述后退位置及所述前进位置的各位置的所述突出量以在所述阴极与所述等离子体生成室之间流动的电弧电流以及向用于引出离子束的引出电极流动的加速电流中的至少一个为参数来确定。
3.根据权利要求2所述的离子源,其中,
针对所述后退位置及所述前进位置的各位置的所述突出量以使所述电弧电流和所述加速电流中的至少一个成为最小的方式设定。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的离子源,其中,
还具备定位机构,该定位机构将被所述驱动机构从所述等离子体生成室的外壁面拉开的所述支承基体定位于所述后退位置,
所述定位机构具有:
抵接面,与所述支承基体一起移动;以及
被抵接面,在所述支承基体移动到所述后退位置时与所述抵接面抵接,将所述支承基体定位于所述后退位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日新离子机器株式会社,未经日新离子机器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710521360.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多层陶瓷电容器及用于安装该多层陶瓷电容器的板
- 下一篇:碳化硅半导体衬底